onsemi NTM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 131.5 A 116 W, 10-Pin TCPAK10
- RS Best.-Nr.:
- 277-048
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMJST2D6N08HTXG
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 277-048
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMJST2D6N08HTXG
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 131.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | NTM | |
| Gehäusegröße | TCPAK10 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 10 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 116W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 68nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 5.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 131.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie NTM | ||
Gehäusegröße TCPAK10 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 10 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 116W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 68nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 5.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der MOSFET von ON Semiconductor ist ein Leistungs-N-Kanal-Transistor mit einer Nennspannung von 80 V, einem On-Widerstand von 2,8 mΩ und einer Strombelastbarkeit von 131,5 A. Sein kompaktes TCPAK57-Gehäuse mit einer Größe von 5 x 7 mm bietet eine hervorragende thermische Leistung und eignet sich daher für hocheffiziente Power-Management-, Motorsteuerungs- und DC-DC-Wandlungsanwendungen.
Optimiertes Top-Cool-Gehäuse zur Wärmeableitung von oben
Geringer Platzbedarf für kompakte Designs
Ultra Low RDS(on) zur Verbesserung der Systemeffizienz
Gerät ist Pb-frei und RoHS-konform
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