STMicroelectronics Leistungs-MOSFET 11.4 mΩ 7-Pin HU3PAK
- RS Best.-Nr.:
- 330-554
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT011HU75G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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- Herst. Teile-Nr.:
- SCT011HU75G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Einschaltwiderstand RdsOn | 11.4mΩ | |
| Nennleistung | 652W | |
| Gehäusegröße | HU3PAK | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 750V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Betriebsstrom | 110A | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Einschaltwiderstand RdsOn 11.4mΩ | ||
Nennleistung 652W | ||
Gehäusegröße HU3PAK | ||
Pinanzahl 7 | ||
Maximale Versorgungsspannung 750V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Betriebsstrom 110A | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- JP
Der Power-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen RDS(on) über einen weiten Temperaturbereich aus, kombiniert mit geringen Kapazitäten und hoher Schaltfähigkeit. Diese Eigenschaften verbessern die Anwendungsleistung, indem sie die Frequenz und die Energieeffizienz erhöhen und eine Verringerung der Systemgröße und des Gewichts ermöglichen.
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