STMicroelectronics Leistungs-MOSFET 18.5 mΩ 7-Pin HU3PAK
- RS Best.-Nr.:
- 330-557
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT020HU120G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Einschaltwiderstand RdsOn | 18.5mΩ | |
| Nennleistung | 555W | |
| Minimale Versorgungsspannung | -10V | |
| Gehäusegröße | HU3PAK | |
| Maximale Versorgungsspannung | 1200V | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Betriebsstrom | 112A | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Einschaltwiderstand RdsOn 18.5mΩ | ||
Nennleistung 555W | ||
Minimale Versorgungsspannung -10V | ||
Gehäusegröße HU3PAK | ||
Maximale Versorgungsspannung 1200V | ||
Pinanzahl 7 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Betriebsstrom 112A | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Ausgenommen
Der Power-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen RDS(on) über einen weiten Temperaturbereich aus, kombiniert mit geringen Kapazitäten und hoher Schaltfähigkeit. Diese Eigenschaften verbessern die Anwendungsleistung, indem sie die Frequenz und die Energieeffizienz erhöhen und eine Verringerung der Systemgröße und des Gewichts ermöglichen.
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen
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