Infineon 16MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 1M 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 2,2 V bis 3,6 V, TSOP 54-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 181-7451
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C1061GE30-10ZSXI
- Marke:
- Infineon
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CHF.3’451.896
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 181-7451
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C1061GE30-10ZSXI
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 16MBit | |
| Organisation | 1 MB x 16 bit | |
| Anzahl der Wörter | 1M | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16bit | |
| Zugriffszeit max. | 10ns | |
| Adressbusbreite | 16bit | |
| Taktfrequenz | 100MHz | |
| Low Power | Ja | |
| Timing Typ | Asymmetrisch | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Pinanzahl | 54 | |
| Abmessungen | 22.51 x 10.26 x 1.05mm | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Länge | 22.51mm | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,2 V | |
| Breite | 10.26mm | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 16MBit | ||
Organisation 1 MB x 16 bit | ||
Anzahl der Wörter 1M | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16bit | ||
Zugriffszeit max. 10ns | ||
Adressbusbreite 16bit | ||
Taktfrequenz 100MHz | ||
Low Power Ja | ||
Timing Typ Asymmetrisch | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Pinanzahl 54 | ||
Abmessungen 22.51 x 10.26 x 1.05mm | ||
Höhe 1.05mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Länge 22.51mm | ||
Arbeitsspannnung min. 2,2 V | ||
Breite 10.26mm | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Die Modelle CY7C1061G und CY7C1061GE sind Hochleistungs-CMOS-SRAM-Geräte mit eingebettetem ECC. Für beide Geräte sind Ausführungen für einzelne und doppelte Chips und in verschieden Stiftkonfigurationen erhältlich. Das Gerät CY7C1061GE enthält einen ERR-Stift, der im Lesezyklus ein Ereignis für die 1-Bit-Fehlererkennung und -korrektur signalisiert.
Hohe Geschwindigkeit
tAA = 10 ns / 15 ns
Eingebetteter Fehlerkorrekturcode (ECC) für 1-Bit-Fehler
korrektur [1, 2]
Niedriger Wirk- und Standby-Strom
ICC = 90 mA (typisch) bei 100 MHz
ISB2 = 20 mA (typisch)
Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V und
4,5 V bis 5,5 V
1,0 V Datenspeicherung
Kompatible Ein- und Ausgänge zur Transistor-Transistor-Logik (TTL)
Fehleranzeige-Stift (ERR) zeigt Erkennung und Korrektur von 1-Bit-Fehlern an
Erhältlich in bleifreien 48-poligen TSOP-I-Gehäusen, 54-poligen TSOP-II-Gehäusen sowie den VFBGA-Gehäusen mit 48 Kugeln
tAA = 10 ns / 15 ns
Eingebetteter Fehlerkorrekturcode (ECC) für 1-Bit-Fehler
korrektur [1, 2]
Niedriger Wirk- und Standby-Strom
ICC = 90 mA (typisch) bei 100 MHz
ISB2 = 20 mA (typisch)
Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V und
4,5 V bis 5,5 V
1,0 V Datenspeicherung
Kompatible Ein- und Ausgänge zur Transistor-Transistor-Logik (TTL)
Fehleranzeige-Stift (ERR) zeigt Erkennung und Korrektur von 1-Bit-Fehlern an
Erhältlich in bleifreien 48-poligen TSOP-I-Gehäusen, 54-poligen TSOP-II-Gehäusen sowie den VFBGA-Gehäusen mit 48 Kugeln
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