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    Infineon 16MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 1M 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 2,2 V bis 3,6 V, TSOP 54-Pin

    Infineon
    RS Best.-Nr.:
    181-7613
    Herst. Teile-Nr.:
    CY7C1061GE30-10ZSXI
    Marke:
    Infineon
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    Rechtliche Anforderungen


    Produktdetails

    Die Modelle CY7C1061G und CY7C1061GE sind Hochleistungs-CMOS-SRAM-Geräte mit eingebettetem ECC. Für beide Geräte sind Ausführungen für einzelne und doppelte Chips und in verschieden Stiftkonfigurationen erhältlich. Das Gerät CY7C1061GE enthält einen ERR-Stift, der im Lesezyklus ein Ereignis für die 1-Bit-Fehlererkennung und -korrektur signalisiert.

    Hohe Geschwindigkeit
    tAA = 10 ns / 15 ns
    Eingebetteter Fehlerkorrekturcode (ECC) für 1-Bit-Fehler
    korrektur [1, 2]
    Niedriger Wirk- und Standby-Strom
    ICC = 90 mA (typisch) bei 100 MHz
    ISB2 = 20 mA (typisch)
    Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V und
    4,5 V bis 5,5 V
    1,0 V Datenspeicherung
    Kompatible Ein- und Ausgänge zur Transistor-Transistor-Logik (TTL)
    Fehleranzeige-Stift (ERR) zeigt Erkennung und Korrektur von 1-Bit-Fehlern an
    Erhältlich in bleifreien 48-poligen TSOP-I-Gehäusen, 54-poligen TSOP-II-Gehäusen sowie den VFBGA-Gehäusen mit 48 Kugeln


    Technische Daten

    EigenschaftWert
    Speicher Größe16MBit
    Organisation1 MB x 16 bit
    Anzahl der Wörter1M
    Anzahl der Bits pro Wort16bit
    Zugriffszeit max.10ns
    Adressbusbreite16bit
    Taktfrequenz100MHz
    Low PowerJa
    Timing TypAsymmetrisch
    Montage-TypSMD
    GehäusegrößeTSOP
    Pinanzahl54
    Abmessungen22.51 x 10.26 x 1.05mm
    Höhe1.05mm
    Arbeitsspannnung max.3,6 V
    Länge22.51mm
    Betriebstemperatur max.+85 °C
    Arbeitsspannnung min.2,2 V
    Betriebstemperatur min.–40 °C
    Breite10.26mm
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