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Infineon 16MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 1M 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 2,2 V bis 3,6 V, TSOP 54-Pin

RS Best.-Nr.:: 181-7613
Herst. Teile-Nr.:: CY7C1061GE30-10ZSXI
Marke:: Infineon

Infineon 16MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 1M 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 2,2 V bis 3,6 V, TSOP 54-Pin

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RS Best.-Nr.:: 181-7613
Herst. Teile-Nr.:: CY7C1061GE30-10ZSXI
Marke:: Infineon

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Datasheet CY7C1061GE30-10ZSXI

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Die Modelle CY7C1061G und CY7C1061GE sind Hochleistungs-CMOS-SRAM-Geräte mit eingebettetem ECC. Für beide Geräte sind Ausführungen für einzelne und doppelte Chips und in verschieden Stiftkonfigurationen erhältlich. Das Gerät CY7C1061GE enthält einen ERR-Stift, der im Lesezyklus ein Ereignis für die 1-Bit-Fehlererkennung und -korrektur signalisiert.

Hohe Geschwindigkeit
tAA = 10 ns / 15 ns
Eingebetteter Fehlerkorrekturcode (ECC) für 1-Bit-Fehler
korrektur [1, 2]
Niedriger Wirk- und Standby-Strom
ICC = 90 mA (typisch) bei 100 MHz
ISB2 = 20 mA (typisch)
Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V und
4,5 V bis 5,5 V
1,0 V Datenspeicherung
Kompatible Ein- und Ausgänge zur Transistor-Transistor-Logik (TTL)
Fehleranzeige-Stift (ERR) zeigt Erkennung und Korrektur von 1-Bit-Fehlern an
Erhältlich in bleifreien 48-poligen TSOP-I-Gehäusen, 54-poligen TSOP-II-Gehäusen sowie den VFBGA-Gehäusen mit 48 Kugeln

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Speicher Größe	16MBit
Organisation	1 MB x 16 bit
Anzahl der Wörter	1M
Anzahl der Bits pro Wort	16bit
Zugriffszeit max.	10ns
Adressbusbreite	16bit
Taktfrequenz	100MHz
Low Power	Ja
Timing Typ	Asymmetrisch
Montage-Typ	SMD
Gehäusegröße	TSOP
Pinanzahl	54
Abmessungen	22.51 x 10.26 x 1.05mm
Höhe	1.05mm
Arbeitsspannnung max.	3,6 V
Länge	22.51mm
Betriebstemperatur max.	+85 °C
Arbeitsspannnung min.	2,2 V
Betriebstemperatur min.	–40 °C
Breite	10.26mm