Infineon 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 128k 100MHz, 8bit / Wort, SOJ 32-Pin

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RS Best.-Nr.:
182-3297
Herst. Teile-Nr.:
CY7C109D-10VXIT
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Speicher Größe

1MBit

Organisation

128.000 x 8 Bit

Anzahl der Wörter

128k

Anzahl der Bits pro Wort

8bit

Zugriffszeit max.

10ns

Taktfrequenz

100MHz

Low Power

Ja

Timing Typ

Asymmetrisch

Montage-Typ

SMD

Gehäusegröße

SOJ

Pinanzahl

32

Abmessungen

0.83 x 0.305 x 0.11mm

Höhe

0.11mm

Arbeitsspannnung max.

5 V

Breite

0.31mm

Länge

0.83mm

Betriebstemperatur max.

+85 °C

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Ursprungsland:
US
Stift- und funktionskompatibel mit CY7C109B/CY7C1009B.
Hohe Geschwindigkeit
tAA = 10 ns
Niedrige Wirkleistung
ICC = 80 mA bei 10 ns
Geringe CMOS-Standby-Leistung
ISB2 = 3 mA
2,0 V Data
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
TTL-kompatible Ein- und Ausgänge
Einfache Speichererweiterung mit CE1-, CE2- und OE-Optionen
CY7C109D erhältlich in bleifreien 32-poligen 400-mil-breiten geformten SOJ- und 32-poligen TSOP I-Gehäusen. CY7C1009D erhältlich in Pb-freiem 32-poligem 300-mil-breitem gegossenem SOJ-Gehäuse

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