Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 128k 1MHz, 8bit / Wort 8bit, SOJ 32-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 193-8461
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C1018DV33-10VXIT
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.3.087 | CHF.15.44 |
| 50 - 95 | CHF.2.615 | CHF.13.08 |
| 100 - 245 | CHF.2.342 | CHF.11.72 |
| 250 - 495 | CHF.2.279 | CHF.11.39 |
| 500 + | CHF.2.174 | CHF.10.86 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 193-8461
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C1018DV33-10VXIT
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 1MBit | |
| Organisation | 128.000 x 8 Bit | |
| Anzahl der Wörter | 128k | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 10ns | |
| Adressbusbreite | 8bit | |
| Taktfrequenz | 1MHz | |
| Timing Typ | Asymmetrisch | |
| Montage-Typ | THT | |
| Gehäusegröße | SOJ | |
| Pinanzahl | 32 | |
| Abmessungen | 0.810 x 0.292 x 0.103Zoll | |
| Höhe | 2.62mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Arbeitsspannnung min. | 3 V | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Breite | 7.42mm | |
| Länge | 20.57mm | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 1MBit | ||
Organisation 128.000 x 8 Bit | ||
Anzahl der Wörter 128k | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Zugriffszeit max. 10ns | ||
Adressbusbreite 8bit | ||
Taktfrequenz 1MHz | ||
Timing Typ Asymmetrisch | ||
Montage-Typ THT | ||
Gehäusegröße SOJ | ||
Pinanzahl 32 | ||
Abmessungen 0.810 x 0.292 x 0.103Zoll | ||
Höhe 2.62mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Arbeitsspannnung min. 3 V | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Breite 7.42mm | ||
Länge 20.57mm | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN
Stift- und funktionskompatibel mit CY7C1018CV33
Hohe Geschwindigkeit
tAA = 10 ns
Niedrige Wirkleistung
ICC = 60 mA @ 10 ns
Niedrige CMOS-Standby-Leistung
ISB2 = 3 mA
2,0 V Datenspeicherung
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
CMOS für optimale Geschwindigkeit/Leistung
Mittenleistung/Massebelegung
Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Optionen
Erhältlich in Pb-freiem 32-poligem 300-mil-breitem geformtem SOJ
Hohe Geschwindigkeit
tAA = 10 ns
Niedrige Wirkleistung
ICC = 60 mA @ 10 ns
Niedrige CMOS-Standby-Leistung
ISB2 = 3 mA
2,0 V Datenspeicherung
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
CMOS für optimale Geschwindigkeit/Leistung
Mittenleistung/Massebelegung
Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Optionen
Erhältlich in Pb-freiem 32-poligem 300-mil-breitem geformtem SOJ
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