Renesas Electronics 1 MB SRAM 128k, 8 / Wort, SOJ 32-Pin

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RS Best.-Nr.:
264-1293
Herst. Teile-Nr.:
71024S20TYG8
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Produkt Typ

SRAM

Speicher Größe

1MB

Organisation

128k x 8

Anzahl der Wörter

128k

Anzahl der Bits pro Wort

8

Zugriffszeit max.

20ns

Minimale Versorgungsspannung

4.5V

Timing Typ

Asynchron

Maximale Versorgungsspannung

5.5V

Montageart

Oberfläche

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gehäusegröße

SOJ

Pinanzahl

32

Maximale Betriebstemperatur

70°C

Länge

21.95mm

Höhe

2.67mm

Breite

7.6 mm

Normen/Zulassungen

No

Serie

71024S

Versorgungsstrom

160mA

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TW
Der statische Hochgeschwindigkeits-RAM von Renesas Electronics ist als 128 K x 8 organisiert. Es wird mit Hochleistungs- und hochzuverlässiger CMOS-Technologie gefertigt. Diese modernste Technologie in Kombination mit innovativen Schaltkreis-Designtechniken bietet eine kostengünstige Lösung für Hochgeschwindigkeits-Speicheranforderungen.

Niedriger Stromverbrauch über Chip-Abwählen

Erhältlich in 300- und 400-mil-Kunststoff-SOJ

Gleiche Zugriffs- und Zykluszeiten

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