Renesas Electronics 1 MB SRAM 256K, 16 / Wort, SOJ-44 44-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 263-7917
- Herst. Teile-Nr.:
- 71V416S12PHG
- Marke:
- Renesas Electronics
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- RS Best.-Nr.:
- 263-7917
- Herst. Teile-Nr.:
- 71V416S12PHG
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Speicher Größe | 1MB | |
| Produkt Typ | SRAM | |
| Organisation | 256k x 16 | |
| Anzahl der Wörter | 256K | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16 | |
| Zugriffszeit max. | 12ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Timing Typ | Asynchron | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOJ-44 | |
| Betriebstemperatur min. | 0°C | |
| Pinanzahl | 44 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 70°C | |
| Länge | 18.41mm | |
| Breite | 10.16 mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Serie | IDT71V416 | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Versorgungsstrom | 180mA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Speicher Größe 1MB | ||
Produkt Typ SRAM | ||
Organisation 256k x 16 | ||
Anzahl der Wörter 256K | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16 | ||
Zugriffszeit max. 12ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Timing Typ Asynchron | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOJ-44 | ||
Betriebstemperatur min. 0°C | ||
Pinanzahl 44 | ||
Maximale Betriebstemperatur 70°C | ||
Länge 18.41mm | ||
Breite 10.16 mm | ||
Höhe 1mm | ||
Serie IDT71V416 | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
Versorgungsstrom 180mA | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der CMOS-Static-RAM 6 von Renesas Electronics ist ein Hochgeschwindigkeits-Static-RAM, der als 64 K x 16 organisiert ist. Es wird mit Hochleistungs- und hochzuverlässiger CMOS-Technologie gefertigt. Diese modernste Technologie in Kombination mit innovativen Schaltkreis-Designtechniken bietet eine kostengünstige Lösung für Hochgeschwindigkeits-Speicheranforderungen. Alle bidirektionalen Eingänge und Ausgänge des RAM sind TTL-kompatibel, und der Betrieb erfolgt über eine einzelne 5-V-Versorgung. Es werden vollständig statische asynchrone Schaltkreise verwendet, die keine Uhren oder Aktualisierungen für den Betrieb erfordern.
Ein Chip-Auswahlstift plus ein Ausgangs-Aktivierungsstift
Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt TTL-kompatibel
Niedriger Stromverbrauch über Chip-Abwählen
Aktivierungsstifte für obere und untere Byte
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