Renesas Electronics 4 MB SRAM 256K, 16 / Wort, TSOP 44-Pin

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Schale mit 135 Stück)*

CHF.661.365

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 17. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Schale*
135 - 135CHF.4.899CHF.661.30
270 +CHF.4.747CHF.640.16

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
250-0189
Herst. Teile-Nr.:
RMLV0416EGSB-4S2#AA1
Marke:
Renesas Electronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Renesas Electronics

Produkt Typ

SRAM

Speicher Größe

4MB

Anzahl der Wörter

256K

Anzahl der Bits pro Wort

16

Zugriffszeit max.

45ns

Minimale Versorgungsspannung

2.7V

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

Montageart

Oberfläche

Gehäusegröße

TSOP

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Pinanzahl

44

Serie

RMLV0416E

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

1mm

Länge

18.41mm

Automobilstandard

Nein

Versorgungsstrom

10mA

4 MB Advanced LPSRAM (256 Wörter x 16 Bit)


Die Serie RMLV0416E ist eine Familie von statischen 4-Mbit-RAMs, die 262, 144-Wörter x 16 Bit organisiert sind und mit den leistungsstarken Advanced LPSRAM-Technologien von Renesas hergestellt werden. Die Serie RMLV0416E bietet eine höhere Dichte, eine höhere Leistung und einen niedrigen Stromverbrauch. Die Serie RMLV0416E bietet eine niedrige Standby-Leistungsverlust und ist daher für Batterie-Backup-Systeme geeignet. Er wird als 44-poliges TSOP (II) oder 48-Kugel-Kugelgitter-Array mit feinem Rastermaß angeboten.

Wichtigste Merkmale:


  • Einfache 3-V-Versorgung: 2,7 V bis 3,6 V

  • Zugriffszeit: 45 ns (max.)

  • Stromverbrauch: Standby: 0,3 μA (typ.)

  • Gleichzeitiger Zugriff und Zykluszeiten

  • Gemeinsamer Dateneingang und -ausgang, Dreistatausgang

  • Direkt TTL-kompatibel Alle Eingänge und Ausgänge

  • Batterie-Backup-Betrieb

  • Verwandte Links