Renesas Electronics 4 MB SRAM 256K, 16 / Wort, TSOP 44-Pin

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250-0190
Herst. Teile-Nr.:
RMLV0416EGSB-4S2#AA1
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Produkt Typ

SRAM

Speicher Größe

4MB

Anzahl der Wörter

256K

Anzahl der Bits pro Wort

16

Zugriffszeit max.

45ns

Minimale Versorgungsspannung

2.7V

Montageart

Oberfläche

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

Gehäusegröße

TSOP

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Pinanzahl

44

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

18.41mm

Höhe

1mm

Serie

RMLV0416E

Automobilstandard

Nein

Versorgungsstrom

10mA

4 MB Advanced LPSRAM (256 Wörter x 16 Bit)


Die Serie RMLV0416E ist eine Familie von statischen 4-Mbit-RAMs, die 262, 144-Wörter x 16 Bit organisiert sind und mit den leistungsstarken Advanced LPSRAM-Technologien von Renesas hergestellt werden. Die Serie RMLV0416E bietet eine höhere Dichte, eine höhere Leistung und einen niedrigen Stromverbrauch. Die Serie RMLV0416E bietet eine niedrige Standby-Leistungsverlust und ist daher für Batterie-Backup-Systeme geeignet. Er wird als 44-poliges TSOP (II) oder 48-Kugel-Kugelgitter-Array mit feinem Rastermaß angeboten.

Wichtigste Merkmale:


  • Einfache 3-V-Versorgung: 2,7 V bis 3,6 V

  • Zugriffszeit: 45 ns (max.)

  • Stromverbrauch: Standby: 0,3 μA (typ.)

  • Gleichzeitiger Zugriff und Zykluszeiten

  • Gemeinsamer Dateneingang und -ausgang, Dreistatausgang

  • Direkt TTL-kompatibel Alle Eingänge und Ausgänge

  • Batterie-Backup-Betrieb

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