Renesas Electronics 4 MB SRAM 256K, 16 / Wort, SOJ-44 48-Pin

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RS Best.-Nr.:
262-8976
Herst. Teile-Nr.:
71V416L10PHGI
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Speicher Größe

4MB

Produkt Typ

SRAM

Organisation

256k x 16

Anzahl der Wörter

256K

Anzahl der Bits pro Wort

16

Zugriffszeit max.

15ns

Minimale Versorgungsspannung

3.3V

Timing Typ

Asynchron

Maximale Versorgungsspannung

3.3V

Montageart

Oberfläche

Gehäusegröße

SOJ-44

Betriebstemperatur min.

-40°C

Pinanzahl

48

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Serie

IDT71V416

Länge

18.41mm

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

JEDEC Center Power/GND pinout

Breite

10.16 mm

Versorgungsstrom

180mA

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TW
Der CMOS-SRAM von Renesas Electronics ist als 256 K x 16 organisiert. Alle bidirektionalen Eingänge und Ausgänge des SRAM sind LVTTL-kompatibel, und der Betrieb erfolgt über eine einzelne 3,3-V-Versorgung. Es werden vollständig statische asynchrone Schaltkreise verwendet, die keine Uhren oder Aktualisierungen für den Betrieb erfordern.

JEDEC-Mittelstrom-/GND-Pinout für geringeres Rauschen.

Ein Chip-Auswahlstift plus ein Ausgangs-Aktivierungsstift

Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt

Niedriger Stromverbrauch über Chip-Abwählen

Aktivierungsstifte für obere und untere Byte

Einfaches 3,3-V-Netzteil

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