Renesas Electronics 4MBit SRAM

RS Best.-Nr.:: 262-8976
Herst. Teile-Nr.:: 71V416L10PHGI
Marke:: Renesas Electronics

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RS Best.-Nr.:: 262-8976
Herst. Teile-Nr.:: 71V416L10PHGI
Marke:: Renesas Electronics

Technische Daten

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Datasheet - 71V416L10PHGI

Ursprungsland:: TW

Der CMOS-SRAM von Renesas Electronics ist als 256 K x 16 organisiert. Alle bidirektionalen Eingänge und Ausgänge des SRAM sind LVTTL-kompatibel, und der Betrieb erfolgt über eine einzelne 3,3-V-Versorgung. Es werden vollständig statische asynchrone Schaltkreise verwendet, die keine Uhren oder Aktualisierungen für den Betrieb erfordern.

JEDEC-Mittelstrom-/GND-Pinout für geringeres Rauschen.
Ein Chip-Auswahlstift plus ein Ausgangs-Aktivierungsstift
Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt
Niedriger Stromverbrauch über Chip-Abwählen
Aktivierungsstifte für obere und untere Byte
Einfaches 3,3-V-Netzteil

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Renesas Electronics
	Speicher Größe	4MBit
	Organisation	256K x 16
	Zugriffszeit max.	15ns

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	Marke Renesas Electronics
	Speicher Größe 4MBit
	Organisation 256K x 16
	Zugriffszeit max. 15ns

Renesas Electronics 4MBit SRAM

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