Renesas Electronics 4 MB SRAM 256K, 16 / Wort, SOJ-44 48-Pin

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.11.049

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 30. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9CHF.11.05
10 - 24CHF.10.22
25 - 49CHF.10.01
50 - 74CHF.9.97
75 +CHF.9.76

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
262-8977
Herst. Teile-Nr.:
71V416L10PHGI
Marke:
Renesas Electronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Renesas Electronics

Produkt Typ

SRAM

Speicher Größe

4MB

Organisation

256k x 16

Anzahl der Wörter

256K

Anzahl der Bits pro Wort

16

Zugriffszeit max.

15ns

Timing Typ

Asynchron

Minimale Versorgungsspannung

3.3V

Maximale Versorgungsspannung

3.3V

Montageart

Oberfläche

Gehäusegröße

SOJ-44

Betriebstemperatur min.

-40°C

Pinanzahl

48

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Normen/Zulassungen

JEDEC Center Power/GND pinout

Länge

18.41mm

Serie

IDT71V416

Höhe

1mm

Breite

10.16 mm

Versorgungsstrom

180mA

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TW
Der CMOS-SRAM von Renesas Electronics ist als 256 K x 16 organisiert. Alle bidirektionalen Eingänge und Ausgänge des SRAM sind LVTTL-kompatibel, und der Betrieb erfolgt über eine einzelne 3,3-V-Versorgung. Es werden vollständig statische asynchrone Schaltkreise verwendet, die keine Uhren oder Aktualisierungen für den Betrieb erfordern.

JEDEC-Mittelstrom-/GND-Pinout für geringeres Rauschen.

Ein Chip-Auswahlstift plus ein Ausgangs-Aktivierungsstift

Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt

Niedriger Stromverbrauch über Chip-Abwählen

Aktivierungsstifte für obere und untere Byte

Einfaches 3,3-V-Netzteil

Verwandte Links