Infineon 4 MB SRAM 256K 100 MHz, 16 / Wort 16 bit, SOJ 44-Pin

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RS Best.-Nr.:
182-3290
Herst. Teile-Nr.:
CY7C1041G-10VXI
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

SRAM

Speicher Größe

4MB

Organisation

256 k x 16 Bit

Anzahl der Wörter

256K

Anzahl der Bits pro Wort

16

Zugriffszeit max.

10ns

Adressbusbreite

16bit

Taktfrequenz max.

100MHz

Timing Typ

Asynchron

Minimale Versorgungsspannung

4.5V

Maximale Versorgungsspannung

5.5V

Montageart

Oberfläche

Gehäusegröße

SOJ

Betriebstemperatur min.

-40°C

Pinanzahl

44

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Serie

CY7C1041G

Länge

28.7mm

Höhe

2.79mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

0.41 mm

Versorgungsstrom

45mA

Automobilstandard

Nein

Hohe Geschwindigkeit

tAA = 10 ns / 15 ns

Integrierter ECC für Einzelbit-Fehlerkorrektur [1, 2]

Niedriger Wirk- und Standby-Strom

Wirkstrom: ICC = 38 mA (typisch)

Standby-Strom: ISB2 = 6 mA (typisch)

Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V und 4,5 V bis 5,5 V

1,0-V-Datenspeicherung

TTL-kompatible Ein- und Ausgänge

Fehleranzeige-Stift (ERR) zeigt Erkennung und Korrektur von 1-Bit-Fehlern an

PB-freie 44-polige SOJ-, 44-polige TSOP II- und 48-Ball-VFBGA-Gehäuse

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