Infineon 4 MB SRAM 256K 100 MHz, 16 / Wort 16 bit, SOJ 44-Pin

RS Stock No.:: 182-3290
Mfr. Part No.:: CY7C1041G-10VXI
Brand:: Infineon

Infineon 4 MB SRAM 256K 100 MHz, 16 / Wort 16 bit, SOJ 44-Pin

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RS Stock No.:: 182-3290
Mfr. Part No.:: CY7C1041G-10VXI
Brand:: Infineon

Specifications

Technical Reference

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Product Details

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Select all	Attribute	Value
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	SRAM
	Speicher Größe	4MB
	Organisation	256 k x 16 Bit
	Anzahl der Wörter	256K
	Anzahl der Bits pro Wort	16
	Zugriffszeit max.	10ns
	Adressbusbreite	16bit
	Taktfrequenz max.	100MHz
	Timing Typ	Asynchron
	Minimale Versorgungsspannung	4.5V
	Maximale Versorgungsspannung	5.5V
	Montageart	Oberfläche
	Gehäusegröße	SOJ
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Pinanzahl	44
	Maximale Betriebstemperatur	85°C
	Serie	CY7C1041G
	Länge	28.7mm
	Höhe	2.79mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	0.41 mm
	Versorgungsstrom	45mA
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Produkt Typ SRAM
	Speicher Größe 4MB
	Organisation 256 k x 16 Bit
	Anzahl der Wörter 256K
	Anzahl der Bits pro Wort 16
	Zugriffszeit max. 10ns
	Adressbusbreite 16bit
	Taktfrequenz max. 100MHz
	Timing Typ Asynchron
	Minimale Versorgungsspannung 4.5V
	Maximale Versorgungsspannung 5.5V
	Montageart Oberfläche
	Gehäusegröße SOJ
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Pinanzahl 44
	Maximale Betriebstemperatur 85°C
	Serie CY7C1041G
	Länge 28.7mm
	Höhe 2.79mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 0.41 mm
	Versorgungsstrom 45mA
	Automobilstandard Nein

Hohe Geschwindigkeit

tAA = 10 ns / 15 ns

Integrierter ECC für Einzelbit-Fehlerkorrektur [1, 2]

Niedriger Wirk- und Standby-Strom

Wirkstrom: ICC = 38 mA (typisch)

Standby-Strom: ISB2 = 6 mA (typisch)

Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V und 4,5 V bis 5,5 V

1,0-V-Datenspeicherung

TTL-kompatible Ein- und Ausgänge

Fehleranzeige-Stift (ERR) zeigt Erkennung und Korrektur von 1-Bit-Fehlern an

PB-freie 44-polige SOJ-, 44-polige TSOP II- und 48-Ball-VFBGA-Gehäuse

Infineon 4 MB SRAM 256K 100 MHz, 16 / Wort 16 bit, SOJ 44-Pin

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