Infineon 1 MB SRAM 64K, 16 / Wort, SOJ 44-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 194-8911
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C1021D-10VXI
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 194-8911
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C1021D-10VXI
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | SRAM | |
| Speicher Größe | 1MB | |
| Organisation | 64K x 16 bit | |
| Anzahl der Wörter | 64K | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16 | |
| Zugriffszeit max. | 10ns | |
| Timing Typ | Asynchron | |
| Minimale Versorgungsspannung | 5V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gehäusegröße | SOJ | |
| Pinanzahl | 44 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Breite | 10.29 mm | |
| Länge | 28.7mm | |
| Höhe | 3.05mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ SRAM | ||
Speicher Größe 1MB | ||
Organisation 64K x 16 bit | ||
Anzahl der Wörter 64K | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16 | ||
Zugriffszeit max. 10ns | ||
Timing Typ Asynchron | ||
Minimale Versorgungsspannung 5V | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gehäusegröße SOJ | ||
Pinanzahl 44 | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Breite 10.29 mm | ||
Länge 28.7mm | ||
Höhe 3.05mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Dieses Gerät verfügt über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch erheblich reduziert, wenn sie abgewählt wird. Die Eingangs- und Ausgangsstifte (I/O0 bis I/O15) befinden sich in einem hohen Impedanzzustand, wenn das Gerät deaktiviert wird (CE HIGH), die Ausgänge deaktiviert sind (OE HIGH), BHE und BLE deaktiviert sind (BHE, BLE HIGH) oder während eines Schreibvorgangs (CE LOW und WE LOW). Schreiben Sie an das Gerät, indem Sie die Eingänge Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) LOW verwenden. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, werden die Daten von den E/A-Stiften (E/A0 bis E/A7) an den auf den Adress-Stiften (A0 bis A15) angegebenen Ort geschrieben. Wenn Byte High Enable (BHE) LOW ist, werden die Daten von den E/A-Stiften (E/A8 bis E/A15) an den auf den Adress-Stiften (A0 bis A15) angegebenen Ort geschrieben. Lesen Sie vom Gerät aus, indem Sie Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) LOW auswählen und Write Enable (WE) HIGH auswählen. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, erscheinen die Daten vom Speicherort, der von den Adresspins angegeben wird, auf E/A 0 bis E/A 7.
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