Infineon 1 MB SRAM 64K, 16 / Wort, SOJ 44-Pin

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:
194-8912
Herst. Teile-Nr.:
CY7C1021D-10VXI
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Speicher Größe

1MB

Produkt Typ

SRAM

Organisation

64K x 16 bit

Anzahl der Wörter

64K

Anzahl der Bits pro Wort

16

Zugriffszeit max.

10ns

Timing Typ

Asynchron

Minimale Versorgungsspannung

5V

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

Montageart

Durchsteckmontage

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gehäusegröße

SOJ

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Pinanzahl

44

Länge

28.7mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

3.05mm

Breite

10.29 mm

Dieses Gerät verfügt über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch erheblich reduziert, wenn sie abgewählt wird. Die Eingangs- und Ausgangsstifte (I/O0 bis I/O15) befinden sich in einem hohen Impedanzzustand, wenn das Gerät deaktiviert wird (CE HIGH), die Ausgänge deaktiviert sind (OE HIGH), BHE und BLE deaktiviert sind (BHE, BLE HIGH) oder während eines Schreibvorgangs (CE LOW und WE LOW). Schreiben Sie an das Gerät, indem Sie die Eingänge Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) LOW verwenden. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, werden die Daten von den E/A-Stiften (E/A0 bis E/A7) an den auf den Adress-Stiften (A0 bis A15) angegebenen Ort geschrieben. Wenn Byte High Enable (BHE) LOW ist, werden die Daten von den E/A-Stiften (E/A8 bis E/A15) an den auf den Adress-Stiften (A0 bis A15) angegebenen Ort geschrieben. Lesen Sie vom Gerät aus, indem Sie Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) LOW auswählen und Write Enable (WE) HIGH auswählen. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, erscheinen die Daten vom Speicherort, der von den Adresspins angegeben wird, auf E/A 0 bis E/A 7.

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