Das Modell CY7C1049GN ist ein Hochleistungs-CMOS-SRAM-Gerät, organisiert als 512000 Wörter mit jeweils 8 Bit. Schreibvorgänge erfolgen über die Festlegung der Eingaben "Chip Enable" (CE) und "Write Enable" (WE) als NIEDRIG, und stellt die Daten gleichzeitig über E/A-0 bis E/A-7 sowie die Adresse über die Pole A-0 bis A-18 zur Verfügung. Lesevorgänge erfolgen über die Festlegung der Eingaben "Chip Enable" (CE) und "Write Enable" (WE) als NIEDRIG, unter Angabe der erforderlichen Adresse und der Adresszeilen. Daten werden über die E/A-Leitungen ausgelesen (E/A-0 bis E/A-7). Alle E/A (E/A-0 bis E/A-7) befinden sich während der folgenden Ereignisse in einem hochohmigen Zustand: Wenn die Auswahl für das Gerät aufgehoben wird (CE HOCH), oder wenn die Festlegung für das Kontrollsignal OE aufgehoben wird.

Hohe Geschwindigkeit
tAA = 10 ns
Niedriger Wirk- und Standby-Strom
Wirkstrom: ICC = 38 mA (typisch)
Standby-Strom: ISB2 = 6 mA (typisch)
Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V und
4,5 V bis 5,5 V
1,0 V Datenspeicherung
TTL-kompatible Ein- und Ausgänge
Bleifreie, 36-polige SOJ-Gehäuse sowie 44-polige TSOP-II-Gehäuse

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 18	CHF.7.203	CHF.14.41
20 - 48	CHF.5.964	CHF.11.92
50 - 98	CHF.5.796	CHF.11.60
100 - 198	CHF.5.649	CHF.11.30
200 +	CHF.5.523	CHF.11.04

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Speicher Größe	4MBit
	Organisation	512 K x 8
	Anzahl der Wörter	512k
	Anzahl der Bits pro Wort	8bit
	Zugriffszeit max.	10ns

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Speicher Größe 4MBit
	Organisation 512 K x 8
	Anzahl der Wörter 512k
	Anzahl der Bits pro Wort 8bit
	Zugriffszeit max. 10ns

Infineon 4MBit SRAM-Speicherbaustein 512k, 8bit / Wort

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