Infineon 4 MB SRAM 512K, 8 / Wort, SOJ 36-Pin

RS Best.-Nr.:: 182-3386
Herst. Teile-Nr.:: CY7C1049GN-10VXI
Marke:: Infineon

Infineon 4 MB SRAM 512K, 8 / Wort, SOJ 36-Pin

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.8.316

Vorübergehend ausverkauft

Versand ab 19. August 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 18	CHF.4.158	CHF.8.32
20 - 48	CHF.3.444	CHF.6.88
50 - 98	CHF.3.35	CHF.6.70
100 - 198	CHF.3.266	CHF.6.53
200 +	CHF.3.182	CHF.6.36

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 182-3386
Herst. Teile-Nr.:: CY7C1049GN-10VXI
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	SRAM
	Speicher Größe	4MB
	Organisation	512k x 16 Bit
	Anzahl der Wörter	512K
	Anzahl der Bits pro Wort	8
	Zugriffszeit max.	10ns
	Timing Typ	Asynchron
	Montageart	Oberfläche
	Gehäusegröße	SOJ
	Pinanzahl	36
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Breite	0.4 mm
	Höhe	0.12mm
	Länge	0.93mm

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ SRAM
	Speicher Größe 4MB
	Organisation 512k x 16 Bit
	Anzahl der Wörter 512K
	Anzahl der Bits pro Wort 8
	Zugriffszeit max. 10ns
	Timing Typ Asynchron
	Montageart Oberfläche
	Gehäusegröße SOJ
	Pinanzahl 36
	Normen/Zulassungen RoHS
	Breite 0.4 mm
	Höhe 0.12mm
	Länge 0.93mm

Ursprungsland:: US

Der CY7C1049GN ist ein leistungsstarkes CMOS-Fast-Static-RAM-Gerät, das als 512 K Wörter pro 8 Bit organisiert ist. Datenschreibvorgänge werden ausgeführt, indem die Eingänge Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) LOW bestätigt werden, während die Daten auf E/A0 über E/A7 und die Adresse auf A0 über A18-Stifte bereitgestellt werden. Datenlesungen werden durchgeführt, indem die Eingänge für Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) LOW bestätigt werden und die erforderliche Adresse auf den Adresszeilen angegeben wird. Die Lesedaten sind auf den E/A-Leitungen (E/A0 bis E/A7) zugänglich. Alle E/A (E/A0 bis E/A7) werden in einem Zustand mit hoher Impedanz während der folgenden Ereignisse platziert: Das Gerät wird deaktiviert (CE HIGH) Das Steuersignal OE wird de-assert.

Hohe Geschwindigkeit

tAA = 10 ns

Niedrige aktive und Standby-Ströme

Aktiver Strom: ICC = 38 mA typisch

Standby-Strom: ISB2 = 6 mA typisch

Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V und

4,5 V bis 5,5 V

1,0 V Datenspeicherung

TTL-kompatible Eingänge und Ausgänge

Bleifreie 36-polige SOJ- und 44-polige TSOP II-Gehäuse

Infineon 4 MB SRAM 512K, 8 / Wort, SOJ 36-Pin

Verwandte Links