Infineon 4 MB SRAM 512K 100 MHz, 8 / Wort 19 bit, 36-polig gegossen SOJ/44-polig TSOP II 44-Pin

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RS Best.-Nr.:
273-7352
Herst. Teile-Nr.:
CY7C1049G30-10VXI
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

SRAM

Speicher Größe

4MB

Organisation

512K x 8 bit

Anzahl der Wörter

512K

Anzahl der Bits pro Wort

8

Zugriffszeit max.

10ns

Adressbusbreite

19bit

Taktfrequenz max.

100MHz

Timing Typ

Asynchron

Minimale Versorgungsspannung

0.5V

Maximale Versorgungsspannung

6V

Gehäusegröße

36-polig gegossen SOJ/44-polig TSOP II

Betriebstemperatur min.

-55°C

Pinanzahl

44

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

CY7C1049G / CY7C1049GE

Automobilstandard

Nein

Infineons statischer RAM ist ein schneller CMOS-Static-RAM-Baustein mit integrierter ECC. Dieses Teil verfügt über einen ERR-Pin, der ein Fehlererkennungs- und Korrekturereignis während eines Lesezyklus signalisiert. Das Schreiben von Daten erfolgt, indem die Eingänge Chip Enable und Write Enable auf Low gesetzt werden, während die Daten auf IO 0 bis IO 7 und die Adresse auf den Pins A0 bis A18 bereitgestellt werden.

Hohe Geschwindigkeit

Niedrige Aktiv- und Standby-Ströme

1-Bit-Fehlererkennung und -korrektur

TTL-kompatible Ein- und Ausgänge

Embedded ECC für Einzelbit-Fehlerkorrektur

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