Renesas Electronics 1MB SRAM 256k, 16bit / Wort
- RS Best.-Nr.:
- 263-7916
- Herst. Teile-Nr.:
- 71V416S12PHG
- Marke:
- Renesas Electronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Schale mit 135 Stück)*
CHF.1’047.60
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 18. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Schale* |
|---|---|---|
| 135 - 135 | CHF.7.76 | CHF.1’047.96 |
| 270 + | CHF.7.581 | CHF.1’023.29 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 263-7916
- Herst. Teile-Nr.:
- 71V416S12PHG
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Speicher Größe | 1MB | |
| Organisation | 256K x 16 | |
| Anzahl der Wörter | 256k | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16bit | |
| Zugriffszeit max. | 12ns | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Speicher Größe 1MB | ||
Organisation 256K x 16 | ||
Anzahl der Wörter 256k | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16bit | ||
Zugriffszeit max. 12ns | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der CMOS-Static-RAM 6 von Renesas Electronics ist ein Hochgeschwindigkeits-Static-RAM, der als 64 K x 16 organisiert ist. Es wird mit Hochleistungs- und hochzuverlässiger CMOS-Technologie gefertigt. Diese modernste Technologie in Kombination mit innovativen Schaltkreis-Designtechniken bietet eine kostengünstige Lösung für Hochgeschwindigkeits-Speicheranforderungen. Alle bidirektionalen Eingänge und Ausgänge des RAM sind TTL-kompatibel, und der Betrieb erfolgt über eine einzelne 5-V-Versorgung. Es werden vollständig statische asynchrone Schaltkreise verwendet, die keine Uhren oder Aktualisierungen für den Betrieb erfordern.
Ein Chip-Auswahlstift plus ein Ausgangs-Aktivierungsstift
Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt TTL-kompatibel
Niedriger Stromverbrauch über Chip-Abwählen
Aktivierungsstifte für obere und untere Byte
Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt TTL-kompatibel
Niedriger Stromverbrauch über Chip-Abwählen
Aktivierungsstifte für obere und untere Byte
Verwandte Links
- Renesas Electronics 1MB SRAM 256k, 16bit / Wort
- Renesas Electronics 1MB SRAM 64k, 16bit / Wort
- Renesas Electronics 1MB SRAM 32k, 8bit / Wort
- Renesas Electronics 1MB SRAM 128k, 8bit / Wort
- Renesas Electronics 16bit SRAM-Speicherbaustein, 16bit / Wort
- Renesas Electronics 1MBit SRAM 64k, 16bit / Wort
- Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 256K, 16bit / Wort, 3 V bis 3,6 V, TSOP-44 44-Pin
- Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 256k, 16bit / Wort, 2,7 V bis 3,6 V, TSOP 44-Pin
