Renesas Electronics 1 MB SRAM 256K, 16 / Wort, SOJ-44 44-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 263-7916
- Herst. Teile-Nr.:
- 71V416S12PHG
- Marke:
- Renesas Electronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Schale mit 135 Stück)*
CHF.1’047.60
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 02. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Schale* |
|---|---|---|
| 135 - 135 | CHF.7.76 | CHF.1’047.96 |
| 270 + | CHF.7.581 | CHF.1’023.29 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 263-7916
- Herst. Teile-Nr.:
- 71V416S12PHG
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Speicher Größe | 1MB | |
| Produkt Typ | SRAM | |
| Organisation | 256k x 16 | |
| Anzahl der Wörter | 256K | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16 | |
| Zugriffszeit max. | 12ns | |
| Timing Typ | Asynchron | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Betriebstemperatur min. | 0°C | |
| Gehäusegröße | SOJ-44 | |
| Pinanzahl | 44 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 70°C | |
| Länge | 18.41mm | |
| Breite | 10.16 mm | |
| Serie | IDT71V416 | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Höhe | 1mm | |
| Versorgungsstrom | 180mA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Speicher Größe 1MB | ||
Produkt Typ SRAM | ||
Organisation 256k x 16 | ||
Anzahl der Wörter 256K | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16 | ||
Zugriffszeit max. 12ns | ||
Timing Typ Asynchron | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Betriebstemperatur min. 0°C | ||
Gehäusegröße SOJ-44 | ||
Pinanzahl 44 | ||
Maximale Betriebstemperatur 70°C | ||
Länge 18.41mm | ||
Breite 10.16 mm | ||
Serie IDT71V416 | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Höhe 1mm | ||
Versorgungsstrom 180mA | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der CMOS-Static-RAM 6 von Renesas Electronics ist ein Hochgeschwindigkeits-Static-RAM, der als 64 K x 16 organisiert ist. Es wird mit Hochleistungs- und hochzuverlässiger CMOS-Technologie gefertigt. Diese modernste Technologie in Kombination mit innovativen Schaltkreis-Designtechniken bietet eine kostengünstige Lösung für Hochgeschwindigkeits-Speicheranforderungen. Alle bidirektionalen Eingänge und Ausgänge des RAM sind TTL-kompatibel, und der Betrieb erfolgt über eine einzelne 5-V-Versorgung. Es werden vollständig statische asynchrone Schaltkreise verwendet, die keine Uhren oder Aktualisierungen für den Betrieb erfordern.
Ein Chip-Auswahlstift plus ein Ausgangs-Aktivierungsstift
Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt TTL-kompatibel
Niedriger Stromverbrauch über Chip-Abwählen
Aktivierungsstifte für obere und untere Byte
Verwandte Links
- Renesas Electronics 1 MB SRAM 256K, 16 / Wort, SOJ-44 44-Pin
- Renesas Electronics 4 MB SRAM 256K, 16 / Wort, SOJ-44 48-Pin
- Renesas Electronics 4 MB SRAM 256K, 16 / Wort, TSOP 44-Pin
- Renesas Electronics 4 MB SRAM 256K, 16 / Wort 16 bit, TSOP 44-Pin
- Alliance Memory 4 MB SRAM 256K, 16 / Wort 18 bit, SOJ 44-Pin
- Infineon 4 MB SRAM 256K 100 MHz, 16 / Wort 16 bit, SOJ 44-Pin
- Renesas Electronics 1 MB SRAM 128k, 8 / Wort, SOJ 32-Pin
- Renesas Electronics 4 MB Statisches RAM 256K, 16 / Wort, TSOP-44 44-Pin