Renesas Electronics 8 MB SRAM 1024K, 8 / Wort, TSOP 44-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 250-0192
- Herst. Teile-Nr.:
- RMLV0808BGSB-4S2#AA0
- Marke:
- Renesas Electronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.9.303
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.9.30 |
| 10 - 24 | CHF.8.76 |
| 25 - 49 | CHF.8.42 |
| 50 - 74 | CHF.8.17 |
| 75 + | CHF.8.01 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 250-0192
- Herst. Teile-Nr.:
- RMLV0808BGSB-4S2#AA0
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Produkt Typ | SRAM | |
| Speicher Größe | 8MB | |
| Organisation | 1024K x 8 | |
| Anzahl der Wörter | 1024K | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Zugriffszeit max. | 45ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.4V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Pinanzahl | 44 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 10.16 mm | |
| Länge | 18.41mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Serie | RMLV0808B | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Produkt Typ SRAM | ||
Speicher Größe 8MB | ||
Organisation 1024K x 8 | ||
Anzahl der Wörter 1024K | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Zugriffszeit max. 45ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.4V | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Pinanzahl 44 | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 10.16 mm | ||
Länge 18.41mm | ||
Höhe 1mm | ||
Serie RMLV0808B | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der statische 8-Mbit-RAM von Renesas Electronics hat eine höhere Dichte, eine höhere Leistung und einen niedrigen Stromverbrauch erreicht. Er bietet eine niedrige Verlustleistung im Standby-Betrieb.
Gleiche Zugriffs- und Zykluszeiten
Gemeinsamer Dateneingang und -Ausgang
Direkt TTL-kompatibel
Batterie-Backup-Betrieb
Verwandte Links
- Renesas Electronics 8 MB SRAM 1024K, 8 / Wort, TSOP 44-Pin
- Renesas Electronics 8 MB SRAM 512K, 16 / Wort, TSOP 44-Pin
- Renesas Electronics 4 MB SRAM 256K, 16 / Wort, TSOP 44-Pin
- Renesas Electronics 1 MB SRAM 128k, 8 / Wort, TSOP-44 32-Pin
- Infineon 8 MB SRAM 512K, 16 / Wort, TSOP 54-Pin
- Infineon 1 MB SRAM 128k, 8 / Wort, TSOP II 32-Pin
- Infineon 8 MB SRAM 512K, 16 / Wort, TSOP II 44-Pin
- Infineon 4 MB SRAM 512K, 8 / Wort, TSOP II 32-Pin