Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 512k 1MHz, 8bit / Wort 8bit, 4,5 V bis 5,5 V, SOIC 32-Pin

RS Best.-Nr.:: 188-5324
Herst. Teile-Nr.:: CY62148ELL-55SXI
Marke:: Infineon

Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 512k 1MHz, 8bit / Wort 8bit, 4,5 V bis 5,5 V, SOIC 32-Pin

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 25 Stück)*

CHF.195.575

Nur noch Restbestände

Letzte 125 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
25 - 25	CHF.7.823	CHF.195.51
50 - 75	CHF.7.613	CHF.190.24
100 - 225	CHF.7.403	CHF.185.14
250 - 475	CHF.7.214	CHF.180.44
500 +	CHF.7.035	CHF.175.96

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 188-5324
Herst. Teile-Nr.:: CY62148ELL-55SXI
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Speicher Größe	4MBit
	Organisation	512 k x 8 Bit
	Anzahl der Wörter	512k
	Anzahl der Bits pro Wort	8bit
	Zugriffszeit max.	55ns
	Adressbusbreite	8bit
	Taktfrequenz	1MHz
	Low Power	Ja
	Timing Typ	Asymmetrisch
	Montage-Typ	SMD
	Gehäusegröße	SOIC
	Pinanzahl	32
	Abmessungen	20.75 x 11.43 x 2.88mm
	Höhe	2.88mm
	Arbeitsspannnung max.	5,5 V
	Länge	20.75mm
	Betriebstemperatur max.	+85 °C
	Arbeitsspannnung min.	4,5 V
	Betriebstemperatur min.	–40 °C
	Breite	11.43mm

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Speicher Größe 4MBit
	Organisation 512 k x 8 Bit
	Anzahl der Wörter 512k
	Anzahl der Bits pro Wort 8bit
	Zugriffszeit max. 55ns
	Adressbusbreite 8bit
	Taktfrequenz 1MHz
	Low Power Ja
	Timing Typ Asymmetrisch
	Montage-Typ SMD
	Gehäusegröße SOIC
	Pinanzahl 32
	Abmessungen 20.75 x 11.43 x 2.88mm
	Höhe 2.88mm
	Arbeitsspannnung max. 5,5 V
	Länge 20.75mm
	Betriebstemperatur max. +85 °C
	Arbeitsspannnung min. 4,5 V
	Betriebstemperatur min. –40 °C
	Breite 11.43mm

Datasheet CY62148ELL-55SXI

Ursprungsland:: US

Asynchroner Micropower (MoBL) SRAM-Speicher, Cypress Semiconductor

Die Kleinleistungs-SRAM-Speichergeräte MoBL besitzen eine hohe Effizienz und bieten eine branchenweit führende (maximale) Verlustleistung im Standby.

Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns
Spannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V.
PIN kompatibel mit CY62148B.
Extrem niedrige Standby-Leistung
Typischer Standby-Strom: 1 μA
Maximaler Standby-Strom: 7 μA (Industrie)
Extrem niedrige Wirkleistung
Typischer Wirkstrom: 2,0 mA bei f = 1 MHz
Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Funktionen
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung
Erhältlich in Pb-freien 32-poligen dünnen Small Outline Package (TSOP) II- und 32-poligen Small Outline Integrated Circuit (SOIC)[1]-Gehäusen

SRAM (Static Random Access Memory)

Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 512k 1MHz, 8bit / Wort 8bit, 4,5 V bis 5,5 V, SOIC 32-Pin

Asynchroner Micropower (MoBL) SRAM-Speicher, Cypress Semiconductor

Verwandte Links