Infineon 4 MB SRAM 512K 1 MHz, 8 / Wort 8 bit, SOIC 32-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 188-5324
- Herst. Teile-Nr.:
- CY62148ELL-55SXI
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.6.484 | CHF.162.06 |
| 50 - 75 | CHF.6.302 | CHF.157.66 |
| 100 - 225 | CHF.6.141 | CHF.153.52 |
| 250 - 475 | CHF.5.979 | CHF.149.58 |
| 500 + | CHF.5.838 | CHF.145.84 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-5324
- Herst. Teile-Nr.:
- CY62148ELL-55SXI
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | SRAM | |
| Speicher Größe | 4MB | |
| Anzahl der Wörter | 512K | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Zugriffszeit max. | 45ns | |
| Adressbusbreite | 8bit | |
| Taktfrequenz max. | 1MHz | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4.5V | |
| Timing Typ | Asynchron | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Pinanzahl | 32 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | CY62148E | |
| Höhe | 2.81mm | |
| Länge | 20.75mm | |
| Versorgungsstrom | 20mA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ SRAM | ||
Speicher Größe 4MB | ||
Anzahl der Wörter 512K | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Zugriffszeit max. 45ns | ||
Adressbusbreite 8bit | ||
Taktfrequenz max. 1MHz | ||
Minimale Versorgungsspannung 4.5V | ||
Timing Typ Asynchron | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Pinanzahl 32 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie CY62148E | ||
Höhe 2.81mm | ||
Länge 20.75mm | ||
Versorgungsstrom 20mA | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- US
Asynchroner Micropower (MoBL) SRAM-Speicher, Cypress Semiconductor
Die Kleinleistungs-SRAM-Speichergeräte MoBL besitzen eine hohe Effizienz und bieten eine branchenweit führende (maximale) Verlustleistung im Standby.
SRAM (Static Random Access Memory)
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