Infineon 4MBit LowPower SRAM 512k 1MHz, 8bit / Wort 8bit, 4,5 V bis 5,5 V, SOIC 32-Pin

RS Best.-Nr.:: 124-2941
Herst. Teile-Nr.:: CY62148ELL-55SXI
Marke:: Infineon

Infineon 4MBit LowPower SRAM 512k 1MHz, 8bit / Wort 8bit, 4,5 V bis 5,5 V, SOIC 32-Pin

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RS Best.-Nr.:: 124-2941
Herst. Teile-Nr.:: CY62148ELL-55SXI
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Speicher Größe	4MBit
	Organisation	512 k x 8 Bit
	Anzahl der Wörter	512k
	Anzahl der Bits pro Wort	8bit
	Zugriffszeit max.	45ns
	Adressbusbreite	8bit
	Taktfrequenz	1MHz
	Low Power	Ja
	Timing Typ	Asymmetrisch
	Montage-Typ	SMD
	Gehäusegröße	SOIC
	Pinanzahl	32
	Abmessungen	20.75 x 11.43 x 2.81mm
	Höhe	2.81mm
	Arbeitsspannnung max.	5,5 V
	Betriebstemperatur min.	–40 °C
	Länge	20.75mm
	Breite	11.43mm
	Arbeitsspannnung min.	4,5 V
	Betriebstemperatur max.	+85 °C

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Speicher Größe 4MBit
	Organisation 512 k x 8 Bit
	Anzahl der Wörter 512k
	Anzahl der Bits pro Wort 8bit
	Zugriffszeit max. 45ns
	Adressbusbreite 8bit
	Taktfrequenz 1MHz
	Low Power Ja
	Timing Typ Asymmetrisch
	Montage-Typ SMD
	Gehäusegröße SOIC
	Pinanzahl 32
	Abmessungen 20.75 x 11.43 x 2.81mm
	Höhe 2.81mm
	Arbeitsspannnung max. 5,5 V
	Betriebstemperatur min. –40 °C
	Länge 20.75mm
	Breite 11.43mm
	Arbeitsspannnung min. 4,5 V
	Betriebstemperatur max. +85 °C

CY62148ELL-55SXI-Cypress-Semiconductor

Asynchroner Micropower (MoBL) SRAM-Speicher, Cypress Semiconductor

Die Kleinleistungs-SRAM-Speichergeräte MoBL besitzen eine hohe Effizienz und bieten eine branchenweit führende (maximale) Verlustleistung im Standby.

Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns
Spannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V.
PIN kompatibel mit CY62148B.
Extrem niedrige Standby-Leistung
Typischer Standby-Strom: 1 μA
Maximaler Standby-Strom: 7 μA (Industrie)
Extrem niedrige Wirkleistung
Typischer Wirkstrom: 2,0 mA bei f = 1 MHz
Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Funktionen
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung
Erhältlich in Pb-freien 32-poligen dünnen Small Outline Package (TSOP) II- und 32-poligen Small Outline Integrated Circuit (SOIC)[1]-Gehäusen

SRAM (Static Random Access Memory)

Infineon 4MBit LowPower SRAM 512k 1MHz, 8bit / Wort 8bit, 4,5 V bis 5,5 V, SOIC 32-Pin

Asynchroner Micropower (MoBL) SRAM-Speicher, Cypress Semiconductor

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