Microchip 64 kB SRAM 8K 66 MHz, 8 / Wort 16 bit, SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 200-9838
- Herst. Teile-Nr.:
- 48L640-I/SN
- Marke:
- Microchip
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | SRAM | |
| Speicher Größe | 64kB | |
| Organisation | 8K x 8 bit | |
| Anzahl der Wörter | 8K | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Zugriffszeit max. | 10ns | |
| Adressbusbreite | 16bit | |
| Taktfrequenz max. | 66MHz | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.7V | |
| Timing Typ | Synchron | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Breite | 3.9 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 4.9mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Serie | 48L640 | |
| Versorgungsstrom | 5mA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ SRAM | ||
Speicher Größe 64kB | ||
Organisation 8K x 8 bit | ||
Anzahl der Wörter 8K | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Zugriffszeit max. 10ns | ||
Adressbusbreite 16bit | ||
Taktfrequenz max. 66MHz | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.7V | ||
Timing Typ Synchron | ||
Montageart Oberfläche | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Pinanzahl 8 | ||
Breite 3.9 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 4.9mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Serie 48L640 | ||
Versorgungsstrom 5mA | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Microchip 48L640-Serie ist ein serieller 64-Kbit-SPI-EERAM. Er kann vom Benutzer als vollständig symmetrischer Lese-/Schreib-SRAM behandelt werden. Der Zugriff auf das Gerät wird über einen Chip Select(CS)-Eingang gesteuert, sodass eine beliebige Anzahl von Geräten denselben Bus gemeinsam nutzen kann.
Hochgeschwindigkeits-SPI-Schnittstelle: Bis zu 66 MHz
Betriebsspannungsbereich: 2,7 V bis -3,6V
Industrieller Temperaturbereich: –40°C bis +85 °C
ESD-Schutz 2.000V
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