Renesas Electronics 16bit SRAM-Speicherbaustein, 16bit / Wort

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RS Best.-Nr.:
249-4382
Herst. Teile-Nr.:
71V124SA15TYG8
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Speicher Größe

16bit

Organisation

1M x 16

Anzahl der Bits pro Wort

16bit

Zugriffszeit max.

3.5µs

Der 71V124 3,3 V CMOS SRAM von Renesas Electronics ist als 128K x 8 organisiert. Das JEDEC Center Power/GND Pinout reduziert die Rauschentwicklung und verbessert die Systemleistung. Alle bidirektionalen Ein- und Ausgänge des 71V124 sind LVTTL-kompatibel und werden mit einer einzigen 3,3-V-Versorgung betrieben. Es wird eine vollständig statische asynchrone Schaltung verwendet, und für den Betrieb sind keine Taktsignale oder Auffrischungen erforderlich.

JEDEC-revolutionäres Pinout (Center Power/GND) für reduziertes Rauschen
Einzelne 3,3-V-Versorgung
Geringer Stromverbrauch durch Chip-Deselect
Erhältlich in 32-poligen 300- und 400-Mil-Plastik-SOJ- und 32-poligen Typ II TSOP-Gehäusen.

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