Renesas Electronics 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 64K, 16bit / Wort, 4,5 V bis 5,5 V, TSOP-44 44-Pin

RS Best.-Nr.:: 217-7881
Herst. Teile-Nr.:: 71016S15PHGI
Marke:: Renesas Electronics

Renesas Electronics 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 64K, 16bit / Wort, 4,5 V bis 5,5 V, TSOP-44 44-Pin

265 lieferbar innerhalb von 6-8 Werktagen.

Preis pro Stück (In einer VPE à 5)

CHF.3.99

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 5	CHF.3.99	CHF.19.929
10 - 95	CHF.3.518	CHF.17.598
100 - 245	CHF.3.14	CHF.15.719
250 - 495	CHF.3.056	CHF.15.257
500 +	CHF.3.035	CHF.15.173

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 217-7881
Herst. Teile-Nr.:: 71016S15PHGI
Marke:: Renesas Electronics

Mehr Infos und technische Dokumente

Datasheet - 71016S15PHGI

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Der Renesas Electronics 71016 5 V CMOS SRAM ist als 64 K x 16 organisiert. Alle bidirektionalen Ein- und Ausgänge des 71016 sind TTL-kompatibel und der Betrieb erfolgt über eine einzelne 5-V-Versorgung. Es werden vollständig statische asynchrone Schaltkreise verwendet, die keine Uhren oder Aktualisierungen für den Betrieb erfordern.

Gleiche Zugangs- und Zykluszeiten - Gewerbe und Industrie: 12/15/20 ns
Ein Chip Select plus ein Ausgangsfreigabestift
Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt TTL-kompatibel
Geringer Stromverbrauch über Chip-Abwahl
Obere und untere Byte-Aktivierungsstifte
Erhältlich in 44-poligen Kunststoff-SOJ- und 44-poligen TSOP-Gehäusen

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Speicher Größe	1MBit
Organisation	64 K x 16
Anzahl der Wörter	64K
Anzahl der Bits pro Wort	16bit
Zugriffszeit max.	12ns
Low Power	Ja
Timing Typ	Asymmetrisch
Montage-Typ	SMD
Gehäusegröße	TSOP-44
Pinanzahl	44
Abmessungen	18.41 x 10.16 x 1mm
Arbeitsspannnung max.	5,5 V
Höhe	1mm
Länge	18.41mm
Betriebstemperatur min.	–40 °C
Breite	10.16mm
Arbeitsspannnung min.	4,5 V
Betriebstemperatur max.	+85 °C