Renesas Electronics 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 64K, 16bit / Wort, 4,5 V bis 5,5 V, TSOP-44 44-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 217-7880
- Herst. Teile-Nr.:
- 71016S15PHGI
- Marke:
- Renesas Electronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 26 Stück)*
CHF.94.458
Auf Lager
- 26 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 26 - 78 | CHF.3.633 | CHF.94.54 |
| 104 - 234 | CHF.3.255 | CHF.84.53 |
| 260 - 494 | CHF.3.15 | CHF.81.95 |
| 520 - 988 | CHF.3.129 | CHF.81.49 |
| 1014 + | CHF.2.919 | CHF.75.93 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 217-7880
- Herst. Teile-Nr.:
- 71016S15PHGI
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Speicher Größe | 1MBit | |
| Organisation | 64 K x 16 | |
| Anzahl der Wörter | 64K | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16bit | |
| Zugriffszeit max. | 12ns | |
| Low Power | Ja | |
| Timing Typ | Asymmetrisch | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | TSOP-44 | |
| Pinanzahl | 44 | |
| Abmessungen | 18.41 x 10.16 x 1mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 5,5 V | |
| Höhe | 1mm | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Länge | 18.41mm | |
| Breite | 10.16mm | |
| Arbeitsspannnung min. | 4,5 V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Speicher Größe 1MBit | ||
Organisation 64 K x 16 | ||
Anzahl der Wörter 64K | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16bit | ||
Zugriffszeit max. 12ns | ||
Low Power Ja | ||
Timing Typ Asymmetrisch | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße TSOP-44 | ||
Pinanzahl 44 | ||
Abmessungen 18.41 x 10.16 x 1mm | ||
Arbeitsspannnung max. 5,5 V | ||
Höhe 1mm | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Länge 18.41mm | ||
Breite 10.16mm | ||
Arbeitsspannnung min. 4,5 V | ||
Der Renesas Electronics 71016 5 V CMOS SRAM ist als 64 K x 16 organisiert. Alle bidirektionalen Ein- und Ausgänge des 71016 sind TTL-kompatibel und der Betrieb erfolgt über eine einzelne 5-V-Versorgung. Es werden vollständig statische asynchrone Schaltkreise verwendet, die keine Uhren oder Aktualisierungen für den Betrieb erfordern.
Gleiche Zugangs- und Zykluszeiten - Gewerbe und Industrie: 12/15/20 ns
Ein Chip Select plus ein Ausgangsfreigabestift
Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt TTL-kompatibel
Geringer Stromverbrauch über Chip-Abwahl
Obere und untere Byte-Aktivierungsstifte
Erhältlich in 44-poligen Kunststoff-SOJ- und 44-poligen TSOP-Gehäusen
Ein Chip Select plus ein Ausgangsfreigabestift
Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt TTL-kompatibel
Geringer Stromverbrauch über Chip-Abwahl
Obere und untere Byte-Aktivierungsstifte
Erhältlich in 44-poligen Kunststoff-SOJ- und 44-poligen TSOP-Gehäusen
Verwandte Links
- Renesas Electronics 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 64K, 16bit / Wort, 4,5 V bis 5,5 V, TSOP-44 44-Pin
- Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 64k, 16bit / Wort, TSOP 44-Pin
- ISSI 1MBit LowPower SRAM 64k, 16bit / Wort 16bit, 2,4 V bis 3,6 V, TSOP 44-Pin
- Infineon 1MBit LowPower SRAM 64k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, 3 V bis 3,6 V, TSOP 44-Pin
- Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 64k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, SOJ 44-Pin
- Cypress Semiconductor 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 128k, 8bit / Wort 8bit, TSOP 32-Pin
- Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, 2,2 V bis 3,6 V, TSOP-44 44-Pin
- Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V bis 5,5 V, TSOP 44-Pin