Renesas Electronics 4 MB SRAM-Speicher 262144 Words, 16 / Wort 18 bit 44-Pin

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RS Best.-Nr.:
254-4966
Herst. Teile-Nr.:
71V416S12PHGI
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Produkt Typ

SRAM-Speicher

Speicher Größe

4MB

Anzahl der Wörter

262144 Words

Anzahl der Bits pro Wort

16

Zugriffszeit max.

12ns

Adressbusbreite

18bit

Timing Typ

Asynchron

Minimale Versorgungsspannung

3V

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Pinanzahl

44

Serie

71V416

Höhe

9mm

Länge

9mm

Normen/Zulassungen

JEDECLVTTL-Compatible

Versorgungsstrom

200mA

Automobilstandard

Nein

Der asynchrone statische RAM-Center von Renesas Electronics bietet 4.194.304-Bit-Hochgeschwindigkeits-Statik-RAM, der als 256 K x 16 organisiert ist. Es wird mit Hochleistungs- und hochzuverlässiger CMOS-Technologie gefertigt. Diese modernste Technologie in Kombination mit innovativen Schaltkreis-Designtechniken bietet eine kostengünstige Lösung für Hochgeschwindigkeits-Speicheranforderungen. Er verfügt über einen Ausgangsaktivierungsstift, der so schnell wie 5 ns arbeitet, mit Adresszugriffszeiten so schnell wie 10 ns. Es ist verpackt in einem 44-poligen, 400-mil-Kunststoff-SOJ und einem 44-poligen, 400-mil-TSOP-Typ II-Gehäuse und einem 48-Kugel-Gitter-Array, 9 mm x 9 mm Gehäuse.

256 K x 16 erweiterte Hochgeschwindigkeits-CMOS-Static-RAM-JEDEC-Mitteleinheit/GND-Pinout für geringeres Rauschen. Ein Chip-Auswahlstift plus ein Ausgang Aktivierungsstift Bidirektionale Dateneingänge und -Ausgänge direkt LVTTL-kompatibel Geringer Stromverbrauch über Chip-Deaktivierung der Auswahl oberer und unterer Byte Aktivierungsstifte Einfaches 3,3-V-Netzteil Verfügbar in 44-poligem, 400-mil-Kunststoff-SOJ-Gehäuse und einem 44-poligen, 400-mil-TSOP-Typ II-Gehäuse und einem 48-Kugelgitter-Array, 9 mm x 9 mm Gehäuse. Grüne Teile verfügbar, siehe Bestellinformationen

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