MOSFET

MOSFET, auch MOSFET-Transistoren, steht für Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren). MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. Feldeffekt bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt. Er funktioniert ähnlich wie ein Schalter und wird zum Schalten oder Verstärken elektronischer Signale verwendet.


Diese Halbleitergeräte sind integrierte Schaltkreise (Integrated Circuit, IC), die auf Leiterplatten montiert sind. MOSFETs sind in einer Reihe von Standardgehäusetypen wie DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 und TO-220 erhältlich.


Was sind der Verarmungs- und der Anreicherungsmodus?


MOSFET-Transistoren haben zwei Modi: Verarmung und Anreicherung.
Verarmungs-MOSFETs funktionieren wie ein geschlossener Schalter. Der Strom fließt, wenn kein Strom angelegt wird. Der Stromfluss wird unterbrochen, wenn eine negative Spannung angelegt wird. Anreicherungsmodus-MOSFETs ähneln einem variablen Widerstand und sind im Allgemeinen beliebter als Verarmungsmodus-MOSFETs. Sie sind in N-Kanal- oder P-Kanal-Varianten erhältlich.


Wie funktionieren MOSFETs?


Die Stifte auf einem MOSFET-Gehäuse sind Quelle, Gate und Drain. Wenn zwischen den Gate- und den Quellklemmen eine Spannung angelegt wird, kann Strom vom Drain zu den Quellstiften fließen. Wenn sich die an das Gate angelegte Spannung ändert, ändert sich auch der Widerstand vom Drain zur Quelle. Je niedriger die angelegte Spannung, desto höher der Widerstand. Wenn die Spannung steigt, sinkt der Widerstand zwischen Drain und Source.
Leistungs-MOSFETs ähneln Standard-MOSFETs, sind jedoch für einen höheren Leistungsgrad ausgelegt.


Wo liegen die Unterscheide zwischen N-Kanal-und P-Kanal-MOSFETs?


MOSFETs bestehen aus P- oder N-dotiertem Silizium.
  • N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Sie sind der beliebtere Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs funktionieren, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.

  • P-Kanal-MOSFETS enthalten Elektronen und Elektronenlöcher in ihrem Substrat. P-Kanal-MOSFETs sind mit einer positiven Spannung verbunden. Diese MOSFETs schalten sich ein, wenn die an den Gate-Anschluss angelegte Spannung niedriger als die Quellspannung ist.

Wo werden MOSFETs verwendet?


MOSFETs finden sich in vielen Anwendungen wie Mikroprozessoren und anderen Speicherkomponenten. MOSFET-Transistoren werden am häufigsten als spannungsgesteuerter Schalter in Schaltkreisen verwendet.


Was bedeutet MOSFET?


Dies ist die englische Abkürzung für ’metal oxide semiconductor field-effect transistor’


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Beschreibung Preis Channel-Typ Dauer-Drainstrom max. Drain-Source-Spannung max. Drain-Source-Widerstand max. Gehäusegröße Gate-Schwellenspannung max. Montage-Typ Gate-Schwellenspannung min. Pinanzahl Gate-Source Spannung max. Channel-Modus Verlustleistung max. Transistor-Konfiguration Anzahl der Elemente pro Chip
RS Best.-Nr. 363-487
Herst. Teile-Nr.RSQ035P03TR
MarkeROHM
CHF.0.43
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
P 3.5 A 30 V 65 mΩ TSMT 2.5V SMD - 6 -20 V, +20 V Enhancement 1250 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 150-1484
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MarkeROHM
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N 25 A 600 V 280 mΩ TO-247 5V Durchsteckmontage 3V 3 ±30 V Enhancement 446 W Einfach 1
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MarkeROHM
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Herst. Teile-Nr.RQ3E080GNTB
MarkeROHM
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RS Best.-Nr. 168-2045
Herst. Teile-Nr.RTR025N03TL
MarkeROHM
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Stück
N 2,5 A 30 V 92 mΩ TSMT 1.5V SMD 0.5V 3 ±12 V Enhancement 1 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 177-6803
Herst. Teile-Nr.RQ5E050ATTCL
MarkeROHM
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Stück (In einer VPE à 20)
Stück
P 5 A 30 V 26 mΩ SOT-346T 2.5V SMD 1V 3 ±20 V Enhancement 1 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 172-0462
Herst. Teile-Nr.RD3H080SPTL1
MarkeROHM
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Stück
P 8 A 45 V 147 mΩ TO-252 3V SMD 1V 2 + Tab ±20 V Enhancement 15 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 148-6947
Herst. Teile-Nr.SCT3080ALGC11
MarkeROHM
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Stück (In einer Stange von 30)
Stück
N 30 A 650 V 105,6 mΩ TO-247N 5.6V Durchsteckmontage 2.7V 3 22 V Enhancement 165 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 133-3309
Herst. Teile-Nr.RQ6P015SPTR
MarkeROHM
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Stück (In einer VPE à 25)
Stück
P 1,5 A 100 V 540 mΩ SOT-457 (SC-74) 2.5V SMD 1V 6 -20 V, +20 V Enhancement 1,25 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 172-0429
Herst. Teile-Nr.RD3G400GNTL
MarkeROHM
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Stück (In einer VPE à 25)
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N 40 A 40 V 9,5 mΩ TO-252 2.5V SMD 1V 2 + Tab ±20 V Enhancement 26 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 124-6894
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MarkeROHM
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Stück (In einer VPE à 50)
Stück
N 250 mA 60 V 12 Ω SOT-363 (SC-88) 2.3V SMD 1V 6 -20 V, +20 V Enhancement 150 mW Zwei Sockel 2
RS Best.-Nr. 144-2253
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MarkeROHM
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N 180 A 1200 V - C 4V SMD 1.6V 4 - Enhancement 175 W - 2
RS Best.-Nr. 133-2925
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P 3,5 A 12 V 160 mΩ TSST 1V SMD 0.3V 8 +8 V Enhancement 1,25 W Zwei Sockel 2
RS Best.-Nr. 133-3297
Herst. Teile-Nr.RQ3L050GNTB
MarkeROHM
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N 12 A 60 V 86 mΩ HSMT 2.5V SMD 1V 8 -20 V, +20 V Enhancement 14,8 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 177-6064
Herst. Teile-Nr.R6011KND3TL1
MarkeROHM
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Stück (Auf einer Rolle von 2500)
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N 11 A 600 V 390 mΩ TO-252 5V SMD 3V 3 ±30 V Enhancement 124 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 171-9824
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MarkeROHM
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N 3 A 60 V 105 mΩ SC-96, SOT-346T, TSMT 2.5V SMD 1V 3 ±20 V Enhancement 1 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 183-5135
Herst. Teile-Nr.RS1E321GNTB1
MarkeROHM
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MarkeROHM
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N 6 A 40 V 50 mΩ SOP 2.5V SMD 1V 8 ±12 V Enhancement 2 W - 2
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N 150 A 20 V 5,4 Ω DFN0604, VML0604 0.84V SMD - 3 ±10 V Enhancement 100 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 133-3303
Herst. Teile-Nr.RQ5L015SPTL
MarkeROHM
CHF.0.339
Stück (In einer VPE à 25)
Stück
P 1,5 A 60 V 360 mΩ SOT-346T (SC-96) 3V SMD 1V 3 -20 V, +20 V Enhancement 1 W Einfach 1