MOSFET

MOSFET, auch MOSFET-Transistoren, steht für Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren). MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. Feldeffekt bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt. Er funktioniert ähnlich wie ein Schalter und wird zum Schalten oder Verstärken elektronischer Signale verwendet.


Diese Halbleitergeräte sind integrierte Schaltkreise (Integrated Circuit, IC), die auf Leiterplatten montiert sind. MOSFETs sind in einer Reihe von Standardgehäusetypen wie DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 und TO-220 erhältlich.


Was sind der Verarmungs- und der Anreicherungsmodus?


MOSFET-Transistoren haben zwei Modi: Verarmung und Anreicherung.
Verarmungs-MOSFETs funktionieren wie ein geschlossener Schalter. Der Strom fließt, wenn kein Strom angelegt wird. Der Stromfluss wird unterbrochen, wenn eine negative Spannung angelegt wird. Anreicherungsmodus-MOSFETs ähneln einem variablen Widerstand und sind im Allgemeinen beliebter als Verarmungsmodus-MOSFETs. Sie sind in N-Kanal- oder P-Kanal-Varianten erhältlich.


Wie funktionieren MOSFETs?


Die Stifte auf einem MOSFET-Gehäuse sind Quelle, Gate und Drain. Wenn zwischen den Gate- und den Quellklemmen eine Spannung angelegt wird, kann Strom vom Drain zu den Quellstiften fließen. Wenn sich die an das Gate angelegte Spannung ändert, ändert sich auch der Widerstand vom Drain zur Quelle. Je niedriger die angelegte Spannung, desto höher der Widerstand. Wenn die Spannung steigt, sinkt der Widerstand zwischen Drain und Source.
Leistungs-MOSFETs ähneln Standard-MOSFETs, sind jedoch für einen höheren Leistungsgrad ausgelegt.


Wo liegen die Unterscheide zwischen N-Kanal-und P-Kanal-MOSFETs?


MOSFETs bestehen aus P- oder N-dotiertem Silizium.
  • N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Sie sind der beliebtere Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs funktionieren, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.

  • P-Kanal-MOSFETS enthalten Elektronen und Elektronenlöcher in ihrem Substrat. P-Kanal-MOSFETs sind mit einer positiven Spannung verbunden. Diese MOSFETs schalten sich ein, wenn die an den Gate-Anschluss angelegte Spannung niedriger als die Quellspannung ist.

Wo werden MOSFETs verwendet?


MOSFETs finden sich in vielen Anwendungen wie Mikroprozessoren und anderen Speicherkomponenten. MOSFET-Transistoren werden am häufigsten als spannungsgesteuerter Schalter in Schaltkreisen verwendet.


Was bedeutet MOSFET?


Dies ist die englische Abkürzung für ’metal oxide semiconductor field-effect transistor’


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Beschreibung Preis Channel-Typ Dauer-Drainstrom max. Drain-Source-Spannung max. Drain-Source-Widerstand max. Gehäusegröße Gate-Schwellenspannung max. Montage-Typ Gate-Schwellenspannung min. Pinanzahl Gate-Source Spannung max. Channel-Modus Verlustleistung max. Transistor-Konfiguration Anzahl der Elemente pro Chip
RS Best.-Nr. 171-9770
Herst. Teile-Nr.RV3C002UNT2CL
MarkeROHM
CHF.0.140
Stück (Auf einer Rolle von 8000)
Stück
N 150 A 20 V 5,4 Ω DFN0604, VML0604 0.84V SMD - 3 ±10 V Enhancement 100 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 171-9858
Herst. Teile-Nr.RS1L180GNTB
MarkeROHM
CHF.1.299
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
N 68 A 60 V 8,5 mΩ HSOP 2.5V SMD 1V 8 ±20 V Enhancement 39 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 171-9927
Herst. Teile-Nr.RQ5C035BCTCL
MarkeROHM
CHF.0.211
Stück (In einer VPE à 100)
Stück
P 3,5 A 20 V 135 mΩ SC-96, SOT-346T, TSMT 1.2V SMD 0.5V 3 ±12 V Enhancement 1 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 150-1530
Herst. Teile-Nr.RQ6E030ATTCR
MarkeROHM
CHF.0.222
Stück (In einer VPE à 100)
Stück
P 3 A 30 V 135 mΩ TSMT 2.5V SMD 1V 6 ±12 V Enhancement 1,25 W - 2
RS Best.-Nr. 144-2260
Herst. Teile-Nr.BSM300D12P2E001
MarkeROHM
CHF.726.70
Stück
Stück
N 300 A 1200 V - C 4V SMD 1.6V 4 - Enhancement 1875 W - 2
RS Best.-Nr. 171-9797
Herst. Teile-Nr.RQ5E020SPTL
MarkeROHM
CHF.0.339
Stück (In einer VPE à 100)
Stück
P 2 A 30 V 210 mΩ SC-96, SOT-346T, TSMT 2.5V SMD 1V 3 ±20 V Enhancement 1 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 177-6451
Herst. Teile-Nr.R6030KNZC8
MarkeROHM
CHF.5.34
Stück
Stück
N 30 A 600 V 130 mΩ TO-3PF 5V Durchsteckmontage 3V 3 ±30 V Enhancement 86 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 177-6644
Herst. Teile-Nr.R6006KNX
MarkeROHM
CHF.0.913
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
N 6 A 600 V 830 mΩ TO-220FM 5.5V Durchsteckmontage 3.5V 3 ±30 V Enhancement 40 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 177-6272
Herst. Teile-Nr.R6515ENX
MarkeROHM
CHF.1.919
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
N 15 A 650 V 310 mΩ TO-220FM 4V Durchsteckmontage 2V 3 ±30 V Enhancement 60 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 183-5441
Herst. Teile-Nr.RQ3E150BNTB
MarkeROHM
CHF.0.375
Stück (In einer VPE à 20)
Stück
N 39 A 30 V 7,4 mΩ HSMT 2.5V SMD 1V 8 ±20 V Enhancement 17 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 177-6075
Herst. Teile-Nr.R6020KNZC8
MarkeROHM
CHF.3.616
Stück (In in einem Beutel mit 360)
Stück
N 20 A 600 V 190 mΩ TO-3PF 5V Durchsteckmontage 3V 3 ±30 V Enhancement 68 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 171-9891
Herst. Teile-Nr.RQ5A020ZPTL
MarkeROHM
CHF.0.316
Stück (In einer VPE à 100)
Stück
P 2 A 12 V 400 mΩ SC-96, SOT-346T, TSMT 1V SMD 0.3V 3 ±10 V Enhancement 1 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 171-9822
Herst. Teile-Nr.RQ5L020SNTL
MarkeROHM
CHF.0.35
Stück (In einer VPE à 100)
Stück
N 2 A 60 V 210 mΩ SC-96, SOT-346T, TSMT 2.5V SMD 1V 3 ±20 V Enhancement 1 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 185-1315
Herst. Teile-Nr.R6030JNZ4C13
MarkeROHM
CHF.6.857
Stück
Stück
N 30 A 600 V 140 mΩ TO-247G 7V Durchsteckmontage 5V 3 ±30 V Enhancement 370 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 183-6004
Herst. Teile-Nr.RJ1L12BGNTLL
MarkeROHM
CHF.2.808
Stück (In einer VPE à 2)
Stück
N 120 A 60 V 4,1 mΩ TO-263AB 2.5V SMD 1V 3 ±20 V Enhancement 192 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 172-0542
Herst. Teile-Nr.QS8M51TR
MarkeROHM
CHF.1.030
Stück (In einer VPE à 25)
Stück
N, P 1,5 A (P-Kanal), 2 A (N-Kanal) 100 V 355 mΩ TSMT 2.5 (N Channel) V, 2.5 (P Channel) V SMD 1 (N Channel) V, 1 (P Channel) V 8 ±20 V Enhancement 1,5 W - 2
RS Best.-Nr. 172-0456
Herst. Teile-Nr.RD3P130SPTL1
MarkeROHM
CHF.1.381
Stück (In einer VPE à 10)
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P 13 A 100 V 230 mΩ TO-252 2.5V SMD 1V 2 + Tab ±20 V Enhancement 20 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 124-6845
Herst. Teile-Nr.RZM001P02T2L
MarkeROHM
CHF.0.059
Stück (In einer VPE à 125)
Stück
P 100 mA 20 V 40 Ω SOT-723 1V SMD 0.3V 3 -10 V, +10 V Enhancement 150 mW - 1
RS Best.-Nr. 183-5622
Herst. Teile-Nr.RUF025N02TL
MarkeROHM
CHF.0.515
Stück (In einer VPE à 30)
Stück
N 2,5 A 20 V 160 mΩ SOT-323T 1.3V SMD 0.3V 3 ±10 V Enhancement 800 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 150-1534
Herst. Teile-Nr.SCT3030KLGC11
MarkeROHM
CHF.66.501
Stück
Stück
N 72 A 1200 V 45 mΩ TO-247N 5.6V Durchsteckmontage 2.7V 3 22 V Enhancement 262 W Einfach 1