Microchip Gate teilbar SST25VF080B Flash-Speicher 8 MB, 8M Bit, Seriell-SPI, 8 ns, SOIC, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 177-9657
- Herst. Teile-Nr.:
- SST25VF080B-50-4I-S2AE
- Marke:
- Microchip
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|---|---|---|
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| 180 + | CHF.1.082 | CHF.96.96 |
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- RS Best.-Nr.:
- 177-9657
- Herst. Teile-Nr.:
- SST25VF080B-50-4I-S2AE
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Flash-Speicher | |
| Speicher Größe | 8MB | |
| Schnittstellentyp | Seriell-SPI | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Organisation | 8M Bit | |
| Taktfrequenz max. | 50MHz | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Zellen-Typ | Gate teilbar | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.7V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Timing Typ | Synchron | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Breite | 4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Versorgungsstrom | 15mA | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Serie | SST25VF080B | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Zugriffszeit max. | 8ns | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Flash-Speicher | ||
Speicher Größe 8MB | ||
Schnittstellentyp Seriell-SPI | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Organisation 8M Bit | ||
Taktfrequenz max. 50MHz | ||
Montageart Oberfläche | ||
Zellen-Typ Gate teilbar | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.7V | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Timing Typ Synchron | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Breite 4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Versorgungsstrom 15mA | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Serie SST25VF080B | ||
Automobilstandard Nein | ||
Zugriffszeit max. 8ns | ||
Die SST25VF080B-Geräte sind mit einer verbesserten Betriebsfrequenz für eine geringere Leistungsaufnahme ausgestattet. Serielle Flash-Speicher SST25VF080B SPI werden mit proprietärer, leistungsstarker CMOS-SuperFlash-Technologie hergestellt. Das Zellendesign mit geteilter Gate-Ausführung und der Dickoxid-Tunnelinjektor erreichen eine bessere Zuverlässigkeit und Herstellbarkeit im Vergleich zu alternativen Ansätzen.
Lese- und Schreibvorgänge mit nur einer Spannung – 2,7 bis 3,6 V
Serielle Schnittstellenarchitektur
Unterstützt SPI-Takt von 50 MHz (80 MHz nicht mehr erhältlich)
Überlegene Zuverlässigkeit
Niedriger Energieverbrauch:
Verkürzung der gesamten Chip-Programmierzeit über Byte-Programmoperationen hinweg
Schreibende-Erkennung
Software-Abfrage des BUSY-Bit im Statusregister
Statusanzeige "Besetzt" an SO-Pin im AAI-Modus
Hold-Pin (HOLD#)
Suspendiert eine serielle Sequenz in den Speicher, ohne die Auswahl der Einheit aufzuheben
Schreibschutz (WP#)
Aktiviert/deaktiviert die Lock-Down Funktion des Statusregisters
Software-Schreibschutz
Schreibschutz durch Block-Protection-Bits im Statusregister
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