Microchip Gate teilbar SST25VF Flash-Speicher 8 MB, 1M x 8, SPI, SOIJ, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 264-8832
- Herst. Teile-Nr.:
- SST25VF080B-50-4C-S2AF-T
- Marke:
- Microchip
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 264-8832
- Herst. Teile-Nr.:
- SST25VF080B-50-4C-S2AF-T
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Speicher Größe | 8MB | |
| Produkt Typ | Flash-Speicher | |
| Schnittstellentyp | SPI | |
| Gehäusegröße | SOIJ | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Organisation | 1M x 8 | |
| Taktfrequenz max. | 50MHz | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Zellen-Typ | Gate teilbar | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.3V | |
| Timing Typ | Synchron | |
| Betriebstemperatur min. | 0°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 70°C | |
| Breite | 5 mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC, RoHS | |
| Länge | 6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Serie | SST25VF | |
| Versorgungsstrom | 15mA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Speicher Größe 8MB | ||
Produkt Typ Flash-Speicher | ||
Schnittstellentyp SPI | ||
Gehäusegröße SOIJ | ||
Pinanzahl 8 | ||
Organisation 1M x 8 | ||
Taktfrequenz max. 50MHz | ||
Montageart Oberfläche | ||
Zellen-Typ Gate teilbar | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.3V | ||
Timing Typ Synchron | ||
Betriebstemperatur min. 0°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 70°C | ||
Breite 5 mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC, RoHS | ||
Länge 6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Serie SST25VF | ||
Versorgungsstrom 15mA | ||
Der serielle Flash-Speicher von Microchip wird durch eine verbesserte Betriebsfrequenz für einen niedrigeren Energieverbrauch verbessert. Der serielle SPI-Flash-Speicher SST25VF080B wird mit der proprietären, leistungsstarken CMOS-Super-Flash-Technologie von SST hergestellt. Die Split-Gate-Zellenbauweise und der Dickoxid-Tunneling-Injektor erreichen eine bessere Zuverlässigkeit und Fertigungsfähigkeit im Vergleich zu alternativen Ansätzen. Dieses Gerät verbessert die Leistung und Zuverlässigkeit erheblich und senkt gleichzeitig den Energieverbrauch.
Einfachspannungs-Lese- und Schreibvorgänge – 2,7–3,6 V
Unterstützt 50-MHz-SPI-Takt
Lebensdauer: 100000 Zyklen (typisch)
Mehr als 100 Jahre Datenspeicherung
Programmier- und Löschstrom: 30 mA (max.)
Aktiver Lesestrom: 10 mA (typisch)
Standby-Strom: 5 μA (typisch)
Einheitliche 32-Kbyte- und 64-Kbyte-Overlay-Blöcke
Chip-Löschzeit: 35 ms (typisch)
Alle Geräte sind RoHS-konform
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