Microchip Gate teilbar SST25VF Flash-Speicher 2 MB, 256K x 8, SPI, SOIC, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 264-8827
- Herst. Teile-Nr.:
- SST25VF020B-80-4I-SAE-T
- Marke:
- Microchip
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 264-8827
- Herst. Teile-Nr.:
- SST25VF020B-80-4I-SAE-T
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Flash-Speicher | |
| Speicher Größe | 2MB | |
| Schnittstellentyp | SPI | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Organisation | 256K x 8 | |
| Taktfrequenz max. | 80MHz | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Zellen-Typ | Gate teilbar | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.3V | |
| Timing Typ | Synchron | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Länge | 6mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC, RoHS | |
| Breite | 5 mm | |
| Versorgungsstrom | 10mA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Serie | SST25VF | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Flash-Speicher | ||
Speicher Größe 2MB | ||
Schnittstellentyp SPI | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Organisation 256K x 8 | ||
Taktfrequenz max. 80MHz | ||
Montageart Oberfläche | ||
Zellen-Typ Gate teilbar | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.3V | ||
Timing Typ Synchron | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Länge 6mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC, RoHS | ||
Breite 5 mm | ||
Versorgungsstrom 10mA | ||
Automobilstandard Nein | ||
Serie SST25VF | ||
Der serielle Flash-Speicher von Microchip verfügt über eine vieradrige, SPI-kompatible Schnittstelle, die ein Paket mit geringer Stiftzahl ermöglicht, das weniger Platz auf der Platine einnimmt und letztendlich die Gesamtkosten des Systems senkt. Dieser Speicher wird durch eine verbesserte Betriebsfrequenz und einen noch niedrigeren Energieverbrauch verbessert. Dieser serielle SPI-Flash-Speicher wird mit der hochleistungsfähigen CMOS-Super-Flash-Technologie von SST hergestellt. Die Split-Gate-Zellenbauweise und der Dickoxid-Tunneling-Injektor erreichen eine bessere Zuverlässigkeit und Fertigungsfähigkeit im Vergleich zu alternativen Ansätzen. Das Gerät SST25VF020B verbessert die Leistung und Zuverlässigkeit erheblich und senkt gleichzeitig den Energieverbrauch.
Serielle Schnittstellenarchitektur – SPI-kompatibel: Modus 0 und Modus 3
Überlegene Zuverlässigkeit und Lebensdauer: 100.000 Zyklen (typisch) – mehr als 100 Jahre Datenspeicherung
Niedriger Energieverbrauch: – aktiver Lesestrom: 10 mA (typisch) – Standby-Strom: 5 μA (typisch)
Alle bleifreien Geräte sind RoHS-konform
Industrieller Temperaturbereich: –40 °C bis +85 °C
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