Infineon FRAM 64 kB, 8K x 8 bit 20 ns SPI Oberfläche DFN 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 125-4221
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25CL64B-DG
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 125-4221
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25CL64B-DG
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Speicher Größe | 64kB | |
| Organisation | 8K x 8 bit | |
| Schnittstellentyp | SPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 20ns | |
| Taktfrequenz max. | 20MHz | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Breite | 4 mm | |
| Länge | 4.5mm | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Anzahl der Wörter | 8K | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.65V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.7V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Speicher Größe 64kB | ||
Organisation 8K x 8 bit | ||
Schnittstellentyp SPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 20ns | ||
Taktfrequenz max. 20MHz | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Pinanzahl 8 | ||
Breite 4 mm | ||
Länge 4.5mm | ||
Höhe 0.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Anzahl der Wörter 8K | ||
Automobilstandard Nein | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.65V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.7V | ||
FRAM, Cypress-Halbleiter
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.
Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.
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