Infineon FRAM-Speicher 2MBit, 256K x 8 bit 9ns Seriell-SPI SMD SOIC 8-Pin 1,71 V bis 1,89 V

2 Mbit ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 256 K x 8
Praktisch unbegrenzte Lebensdauer von 10 Trillionen (1013) Lese-/Schreibzyklen
121 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 50 MHz Frequenz
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreibsperre (WRDI)
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geräte-ID und Seriennummer
Geräte-ID umfasst Hersteller-ID und Produkt-ID
Eindeutige ID
Seriennummer
Dedizierter 256-Byte-Spezialsektor-F-RAM
Dedizierter spezieller Sektor zum Schreiben und Lesen
Der gespeicherte Inhalt kann bis zu 3 Standard-Reflow-Lötzyklen überstehen
Geringer Stromverbrauch
3,7 mA (typ.) Wirkstrom bei 40 MHz
2,7 μA (typ.) Standby-Strom
1,1 μA (typ.) Deep-Power-Down-Mode-Strom
0,1 μA (typ.) Hibernate Mode Strom
Niederspannungsbetrieb:
CY15V102QN: VDD = 1,71 V bis 1,89 V
CY15B102QN: VDD = 1,8 V bis 3,6 V
Fahrzeugbetriebstemperatur: -40 °C bis +125 °C.
AEC-Q100 Klasse 1-konform
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)