Infineon FRAM 4 MB SPI Oberfläche SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 266-8508
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B104QN-50SXI
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 266-8508
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B104QN-50SXI
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 4MB | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Schnittstellentyp | SPI | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Taktfrequenz max. | 50MHz | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Normen/Zulassungen | Restriction of hazardous substances (RoHS) | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.8V | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Anzahl der Wörter | 512K | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 4MB | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Schnittstellentyp SPI | ||
Montageart Oberfläche | ||
Taktfrequenz max. 50MHz | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Normen/Zulassungen Restriction of hazardous substances (RoHS) | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.8V | ||
Automobilstandard Nein | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Anzahl der Wörter 512K | ||
- Ursprungsland:
- US
Infineons Ferroelectric RAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM durch. Das Produkt bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 Jahre und eliminiert die Komplexität, den Overhead und die Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die durch seriellen Flash, EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden.
Dedizierter 256-Byte-Spezialsektor-F-RAM
Hochentwickeltes Schreibschutzverfahren
Schnelle serielle Peripherieschnittstelle
Geringer Stromverbrauch
Niederspannungsbetrieb
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