Infineon FRAM 4 MB, 512k x 8 SPI Oberfläche SOIC 8-Pin

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Herst. Teile-Nr.:
CY15B104QN-50SXI
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

FRAM

Speicher Größe

4MB

Organisation

512k x 8

Schnittstellentyp

SPI

Taktfrequenz max.

50MHz

Montageart

Oberfläche

Gehäusegröße

SOIC

Pinanzahl

8

Normen/Zulassungen

Restriction of hazardous substances (RoHS)

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Betriebstemperatur min.

-40°C

Automobilstandard

Nein

Anzahl der Bits pro Wort

8

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

Anzahl der Wörter

512K

Minimale Versorgungsspannung

1.8V

Ursprungsland:
US
Infineons Ferroelectric RAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM durch. Das Produkt bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 Jahre und eliminiert die Komplexität, den Overhead und die Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die durch seriellen Flash, EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden.

Dedizierter 256-Byte-Spezialsektor-F-RAM

Hochentwickeltes Schreibschutzverfahren

Schnelle serielle Peripherieschnittstelle

Geringer Stromverbrauch

Niederspannungsbetrieb

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