Infineon FRAM 4 MB SPI Oberfläche SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 266-8508
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B104QN-50SXI
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 266-8508
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B104QN-50SXI
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Speicher Größe | 4MB | |
| Schnittstellentyp | SPI | |
| Taktfrequenz max. | 50MHz | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Normen/Zulassungen | Restriction of hazardous substances (RoHS) | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Anzahl der Wörter | 512K | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.8V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Speicher Größe 4MB | ||
Schnittstellentyp SPI | ||
Taktfrequenz max. 50MHz | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Normen/Zulassungen Restriction of hazardous substances (RoHS) | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Anzahl der Wörter 512K | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.8V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- US
Infineons Ferroelectric RAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM durch. Das Produkt bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 Jahre und eliminiert die Komplexität, den Overhead und die Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die durch seriellen Flash, EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden.
Dedizierter 256-Byte-Spezialsektor-F-RAM
Hochentwickeltes Schreibschutzverfahren
Schnelle serielle Peripherieschnittstelle
Geringer Stromverbrauch
Niederspannungsbetrieb
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