Infineon FRAM 4 MB, 512k x 8 Quad-SPI Oberfläche SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 266-8512P
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15V104QSN-108SXI
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 10 Stück (geliefert in Stange)*
CHF.198.57
Auf Lager
- 460 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 99 | CHF.19.86 |
| 100 - 249 | CHF.19.14 |
| 250 - 349 | CHF.18.54 |
| 350 + | CHF.18.06 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 266-8512P
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15V104QSN-108SXI
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 4MB | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Schnittstellentyp | Quad-SPI | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Taktfrequenz max. | 108MHz | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.71V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Betriebstemperatur min. | 40°C | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Anzahl der Wörter | 524288 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 4MB | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Schnittstellentyp Quad-SPI | ||
Montageart Oberfläche | ||
Taktfrequenz max. 108MHz | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.71V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Betriebstemperatur min. 40°C | ||
Automobilstandard Nein | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Anzahl der Wörter 524288 | ||
- Ursprungsland:
- US
Infineons Ultra Ferroelectric RAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM durch. Die Daten werden sofort in das Speicherfeld geschrieben, nachdem jedes Byte erfolgreich an das Gerät übertragen wurde. Dieser Speicher führt Schreibvorgänge mit Busgeschwindigkeit aus, sodass keine Schreibverzögerungen entstehen.
Serielle Einzel- und Multi-IO-Peripherieschnittstelle
Geringer Stromverbrauch bei hoher Geschwindigkeit
Dedizierter 256-Byte-Spezialsektor
Software-Blockschutz
Verwandte Links
- Infineon FRAM 4 MB, 512k x 8 Quad-SPI Oberfläche SOIC 8-Pin
- Infineon FRAM 4 MB, 512k x 8 bit Seriell-SPI SOIC 8-Pin
- Infineon FRAM 4 MB, 512k x 8 SPI Oberfläche SOIC 8-Pin
- Infineon FRAM 4 MB, 512k x 8 bit Seriell-SPI SOIC-8 8-Pin
- Infineon FRAM 2 MB, 256K x 8 bit Seriell-SPI SOIC 8-Pin
- Infineon FRAM 2 MB, 256K x 8 bit Seriell-SPI SOIC-8 8-Pin
- Infineon FRAM 8 MB, 1024K x 8 0 ns Seriell-SPI Oberfläche SOIC 8-Pin
- Infineon FRAM 2 MB, 256k x 8 Bit 16 ns SPI Oberfläche SOIC 8-Pin
