onsemi NCD57090ADWR2G IGBT-Modul IGBT 6.5 A 8-Pin SOIC 22 V 13 ns

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Herst. Teile-Nr.:
NCD57090ADWR2G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT-Modul

Ausgangsstrom

6.5A

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

SOIC

Abfallzeit

13ns

Anzahl der Ausgänge

5

Treiber-Typ

IGBT

Anstiegszeit

13ns

Minimale Versorgungsspannung

22V

Maximale Versorgungsspannung

22V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Breite

4 mm

Höhe

1.75mm

Länge

5mm

Serie

NCD57090

Normen/Zulassungen

No

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

AEC-Q100

Der on Semiconductor NCD57090 ist ein Hochstrom-IGBT/MOSFET-Gate-Treiber mit interner 5-kV-eff-galvanischer Trennung, entwickelt für hohe Systemeffizienz und Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen. Das Gerät akzeptiert komplementäre Eingänge und bietet je nach Pinkonfiguration Optionen wie aktive Miller Clamp, negatives Netzteil und separaten hohen und niedrigen Treiberausgang für Systemkonzeption.

Hohe transiente Störfestigkeit

Hohe elektromagnetische Störfestigkeit

Kurze Ausbreitungsverzögerungen mit genauer Anpassung

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