onsemi IGBT-Modul IGBT 6.5 A 1 8-Pin SOIC 20 V 13 ns
- RS Best.-Nr.:
- 221-6660
- Herst. Teile-Nr.:
- NCV57080BDR2G
- Marke:
- onsemi
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.131 | CHF.10.68 |
| 50 - 95 | CHF.1.838 | CHF.9.20 |
| 100 - 495 | CHF.1.596 | CHF.7.98 |
| 500 - 995 | CHF.1.404 | CHF.7.02 |
| 1000 + | CHF.1.273 | CHF.6.38 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 221-6660
- Herst. Teile-Nr.:
- NCV57080BDR2G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Ausgangsstrom | 6.5A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 13ns | |
| Treiber-Typ | IGBT | |
| Anstiegszeit | 13ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 22V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | NCx57080y | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Ausgangsstrom 6.5A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 13ns | ||
Treiber-Typ IGBT | ||
Anstiegszeit 13ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 22V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie NCx57080y | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.75mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Der on Semiconductor NCD57080B ist ein Hochstrom-IGBT-Einkanal-Gate-Treiber mit 3,75 kVeff interner galvanischer Trennung, entwickelt für hohe Systemeffizienz und Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen. Das Gerät akzeptiert komplementäre Eingänge und bietet je nach Pinkonfiguration Optionen wie aktive Miller Clamp, negatives Netzteil und separaten hohen und niedrigen Treiberausgang für Systemkonzeption.
Hohe transiente Störfestigkeit
Hohe elektromagnetische Störfestigkeit
Kurze Ausbreitungsverzögerungen mit genauer Anpassung
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