onsemi IGBT-Modul IGBT 6.5 A 1 8-Pin SOIC 20 V 13 ns
- RS Best.-Nr.:
- 221-6659
- Herst. Teile-Nr.:
- NCV57080BDR2G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
CHF.2’782.50
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 29. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | CHF.1.113 | CHF.2’790.38 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 221-6659
- Herst. Teile-Nr.:
- NCV57080BDR2G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Ausgangsstrom | 6.5A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 13ns | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Treiber-Typ | IGBT | |
| Anzahl der Ausgänge | 5 | |
| Anstiegszeit | 13ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 22V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | NCx57080y | |
| Breite | 4 mm | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Ausgangsstrom 6.5A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 13ns | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Treiber-Typ IGBT | ||
Anzahl der Ausgänge 5 | ||
Anstiegszeit 13ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 22V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie NCx57080y | ||
Breite 4 mm | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.75mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Der on Semiconductor NCD57080B ist ein Hochstrom-IGBT-Einkanal-Gate-Treiber mit 3,75 kVeff interner galvanischer Trennung, entwickelt für hohe Systemeffizienz und Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen. Das Gerät akzeptiert komplementäre Eingänge und bietet je nach Pinkonfiguration Optionen wie aktive Miller Clamp, negatives Netzteil und separaten hohen und niedrigen Treiberausgang für Systemkonzeption.
Hohe transiente Störfestigkeit
Hohe elektromagnetische Störfestigkeit
Kurze Ausbreitungsverzögerungen mit genauer Anpassung
Verwandte Links
- onsemi NCV57080BDR2G IGBT-Modul IGBT 6.5 A 1 8-Pin SOIC 20 V 13 ns
- onsemi IGBT-Modul IGBT 6.5 A 8-Pin SOIC 20 V 13 ns
- onsemi IGBT-Modul IGBT 6.5 A 8-Pin SOIC 22 V 13 ns
- onsemi NCD57090BDWR2G IGBT-Modul IGBT 6.5 A 8-Pin SOIC 22 V 13 ns
- onsemi NCD57090DDWR2G IGBT-Modul IGBT 6.5 A 8-Pin SOIC 20 V 13 ns
- onsemi NCD57090EDWR2G IGBT-Modul IGBT 6.5 A 8-Pin SOIC 20 V 13 ns
- onsemi NCD57080BDR2G IGBT-Modul IGBT 6.5 A 8-Pin SOIC 20 V 13 ns
- onsemi NCD57090ADWR2G IGBT-Modul IGBT 6.5 A 8-Pin SOIC 22 V 13 ns