onsemi NCD57201DR2G IGBT-Modul IGBT 1.9 A 8-Pin SOIC 20 V 8 ns
- RS Best.-Nr.:
- 221-6602
- Herst. Teile-Nr.:
- NCD57201DR2G
- Marke:
- onsemi
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|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.1.418 | CHF.14.15 |
| 100 - 240 | CHF.1.218 | CHF.12.20 |
| 250 - 490 | CHF.1.061 | CHF.10.57 |
| 500 - 990 | CHF.0.935 | CHF.9.30 |
| 1000 + | CHF.0.84 | CHF.8.45 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 221-6602
- Herst. Teile-Nr.:
- NCD57201DR2G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Ausgangsstrom | 1.9A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 8ns | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Treiber-Typ | IGBT | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Anstiegszeit | 13ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 20V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Breite | 4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Länge | 5mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Ausgangsstrom 1.9A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 8ns | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Treiber-Typ IGBT | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Anstiegszeit 13ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 20V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Breite 4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.75mm | ||
Länge 5mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Der on Semiconductor NCx57201 ist ein Hochspannungs-Gate-Treiber mit einem nicht isolierten Low-Side-Gate-Treiber und einem galvanisch isolierten Hoch- oder Niederspannungsseiten-Gate-Treiber. Er kann zwei IGBTs in einer Halbbrücken-Konfiguration direkt ansteuern. Der isolierte Treiber auf der Hochspannungsseite kann mit einem isolierten Netzteil oder mit Bootstrap-Technik vom Low-Side-Netzteil versorgt werden.
Niedriger Ausgangsspannungsabfall für verbesserte IGBT-Leitung
Potenzialfreier Kanal für Bootstrap-Betrieb bis +800 V.
CMTI bis zu 100 kV/s.
Zuverlässiger Betrieb für VS-negatives Schwingen bis -800 V.
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