onsemi NCV57090BDWR2G IGBT-Modul IGBT 6.5 A 1 8-Pin SOIC 22 V 13 ns
- RS Best.-Nr.:
- 221-6664
- Herst. Teile-Nr.:
- NCV57090BDWR2G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.20.635
Auf Lager
- Zusätzlich 995 Einheit(en) mit Versand ab 20. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.4.127 | CHF.20.64 |
| 50 - 95 | CHF.3.56 | CHF.17.79 |
| 100 + | CHF.3.087 | CHF.15.43 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 221-6664
- Herst. Teile-Nr.:
- NCV57090BDWR2G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Ausgangsstrom | 6.5A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 13ns | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Treiber-Typ | IGBT | |
| Anzahl der Ausgänge | 5 | |
| Anstiegszeit | 13ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 22V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 22V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Länge | 7.6mm | |
| Serie | NCx57090y | |
| Breite | 6.05 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.65mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Ausgangsstrom 6.5A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 13ns | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Treiber-Typ IGBT | ||
Anzahl der Ausgänge 5 | ||
Anstiegszeit 13ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 22V | ||
Maximale Versorgungsspannung 22V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Länge 7.6mm | ||
Serie NCx57090y | ||
Breite 6.05 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.65mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Der on Semiconductor NCD57090 ist ein Hochstrom-IGBT/MOSFET-Gate-Treiber mit interner 5-kV-eff-galvanischer Trennung, entwickelt für hohe Systemeffizienz und Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen. Das Gerät akzeptiert komplementäre Eingänge und bietet je nach Pinkonfiguration Optionen wie aktive Miller Clamp, negatives Netzteil und separaten hohen und niedrigen Treiberausgang für Systemkonzeption.
Hohe transiente Störfestigkeit
Hohe elektromagnetische Störfestigkeit
Kurze Ausbreitungsverzögerungen mit genauer Anpassung
Verwandte Links
- onsemi IGBT-Modul IGBT 6.5 A 1 8-Pin SOIC 22 V 13 ns
- onsemi IGBT-Modul IGBT 6.5 A 8-Pin SOIC 22 V 13 ns
- onsemi NCD57090BDWR2G IGBT-Modul IGBT 6.5 A 8-Pin SOIC 22 V 13 ns
- onsemi NCD57090ADWR2G IGBT-Modul IGBT 6.5 A 8-Pin SOIC 22 V 13 ns
- onsemi NCD57090CDWR2G IGBT-Modul IGBT 6.5 A 8-Pin SOIC 22 V 13 ns
- onsemi NCV57090CDWR2G IGBT-Modul IGBT 6.5 A 1 8-Pin SOIC 22 V 13 ns
- onsemi NCV57090ADWR2G IGBT-Modul IGBT 6.5 A 1 8-Pin SOIC 22 V 13 ns
- onsemi IGBT-Modul IGBT 6.5 A 8-Pin SOIC 20 V 13 ns