onsemi NCV57201DR2G IGBT-Modul IGBT 1.9 A 2 8-Pin SOIC 20 V

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Herst. Teile-Nr.:
NCV57201DR2G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT-Modul

Ausgangsstrom

1.9A

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

SOIC

Anzahl der Ausgänge

2

Treiber-Typ

IGBT

Anstiegszeit

13ns

Minimale Versorgungsspannung

20V

Maximale Versorgungsspannung

20V

Anzahl der Treiber

2

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

4 mm

Länge

5mm

Höhe

1.75mm

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

AEC-Q100

Der on Semiconductor NCx57201 ist ein Hochspannungs-Gate-Treiber mit einem nicht isolierten Niederspannungsseiten-Gate-Treiber und einem galvanisch getrennten Hoch- oder Niederspannungsseiten-Gate-Treiber. Er kann zwei IGBTs in einer Halbbrücken-Konfiguration direkt ansteuern. Der isolierte Treiber auf der Hochspannungsseite kann mit einem isolierten Netzteil oder mit Bootstrap-Technik vom Low-Side-Netzteil versorgt werden. Die galvanische Trennung für den High-Side-Gate-Treiber garantiert zuverlässiges Schalten in Hochleistungsanwendungen für IGBTs, die bis zu 800 V bei hohen dv/dt betreiben.

Angepasste Laufzeit: 90 ns

Integrierter 20-ns-Filter mit minimaler Impulsbreite

Nicht invertierendes Ausgangssignal

CMTI bis zu 100 kV/s.

Zuverlässiger Betrieb für VS-negatives Schwingen bis -800 V.

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