onsemi IGBT-Modul IGBT 1.9 A 2 8-Pin SOIC 20V
- RS Best.-Nr.:
- 221-6668
- Herst. Teile-Nr.:
- NCV57201DR2G
- Marke:
- onsemi
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|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF 1.02 | CHF 5.09 |
| 50 - 95 | CHF 0.879 | CHF 4.38 |
| 100 - 495 | CHF 0.758 | CHF 3.80 |
| 500 - 995 | CHF 0.667 | CHF 3.34 |
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- RS Best.-Nr.:
- 221-6668
- Herst. Teile-Nr.:
- NCV57201DR2G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Ausgangsstrom | 1.9A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Treiber-Typ | IGBT | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Anstiegszeit | 13ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 20V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Ausgangsstrom 1.9A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Treiber-Typ IGBT | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Anstiegszeit 13ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 20V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Höhe 1.75mm | ||
Länge 5mm | ||
Breite 4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Der on Semiconductor NCx57201 ist ein Hochspannungs-Gate-Treiber mit einem nicht isolierten Niederspannungsseiten-Gate-Treiber und einem galvanisch getrennten Hoch- oder Niederspannungsseiten-Gate-Treiber. Er kann zwei IGBTs in einer Halbbrücken-Konfiguration direkt ansteuern. Der isolierte Treiber auf der Hochspannungsseite kann mit einem isolierten Netzteil oder mit Bootstrap-Technik vom Low-Side-Netzteil versorgt werden. Die galvanische Trennung für den High-Side-Gate-Treiber garantiert zuverlässiges Schalten in Hochleistungsanwendungen für IGBTs, die bis zu 800 V bei hohen dv/dt betreiben.
Angepasste Laufzeit: 90 ns
Integrierter 20-ns-Filter mit minimaler Impulsbreite
Nicht invertierendes Ausgangssignal
CMTI bis zu 100 kV/s.
Zuverlässiger Betrieb für VS-negatives Schwingen bis -800 V.
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