Infineon Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber MOSFET 2 A 16-Pin SOIC 1225 V 17 ns

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.11.17

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 976 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 8CHF.5.585CHF.11.17
10 - 18CHF.5.03CHF.10.06
20 - 48CHF.4.747CHF.9.50
50 - 98CHF.4.414CHF.8.83
100 +CHF.4.08CHF.8.16

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
226-6159
Herst. Teile-Nr.:
IR2213STRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber

Ausgangsstrom

2A

Pinanzahl

16

Gehäusegröße

SOIC

Abfallzeit

17ns

Treiber-Typ

MOSFET

Anstiegszeit

25ns

Minimale Versorgungsspannung

20V

Maximale Versorgungsspannung

1225V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Höhe

2.65mm

Länge

10.5mm

Serie

IR2213(S)PBF

Normen/Zulassungen

No

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

Nein

Der Infineon IR2213(S) ist ein Hochgeschwindigkeits-MOSFET- und IGBT-Treiber mit unabhängigen, auf der Hoch- und Niederspannungsseite referenzierten Ausgangskanälen. Proprietäre HVIC- und Latch-ImmunCMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Logikeingänge sind kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgängen, bis hinunter auf 3,3-V-Logik.

Veränderlicher Kanal für Bootstrap-Betrieb

Voll funktionsfähig bis +1200 V

Tolerant gegenüber negativer Überspannung und unempfindlich gegenüber dV/dt

Gate-Ansteuerungs-Versorgungsspannungsbereich von 12 V bis 20 V.

Verwandte Links