Infineon Gate-Treiber MOSFET 14 A 2 8-Pin DSO 17V 30 ns

RS Best.-Nr.:: 233-3477
Herst. Teile-Nr.:: 1ED3124MC12HXUMA1
Marke:: Infineon

Infineon Gate-Treiber MOSFET 14 A 2 8-Pin DSO 17V 30 ns

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

CHF 1'293.00

Vorübergehend ausverkauft

Versand ab 05. Oktober 2027

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
1000 +	CHF 1.293	CHF 1'296.84

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 233-3477
Herst. Teile-Nr.:: 1ED3124MC12HXUMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	Gate-Treiber
	Ausgangsstrom	14A
	Pinanzahl	8
	Abfallzeit	30ns
	Gehäusegröße	DSO
	Treiber-Typ	MOSFET
	Anzahl der Ausgänge	2
	Anstiegszeit	30ns
	Minimale Versorgungsspannung	3.1V
	Anzahl der Treiber	2
	Maximale Versorgungsspannung	17V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	125°C
	Länge	7.5mm
	Höhe	2.65mm
	Serie	1ED3124MC12H
	Breite	6.4mm
	Normen/Zulassungen	No
	Montageart	Oberfläche
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ Gate-Treiber
	Ausgangsstrom 14A
	Pinanzahl 8
	Abfallzeit 30ns
	Gehäusegröße DSO
	Treiber-Typ MOSFET
	Anzahl der Ausgänge 2
	Anstiegszeit 30ns
	Minimale Versorgungsspannung 3.1V
	Anzahl der Treiber 2
	Maximale Versorgungsspannung 17V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 125°C
	Länge 7.5mm
	Höhe 2.65mm
	Serie 1ED3124MC12H
	Breite 6.4mm
	Normen/Zulassungen No
	Montageart Oberfläche
	Automobilstandard Nein

Datasheet - 1ED3124MC12HXUMA1

Gate-Treiber der Serie 1ED3124MC12H von Infineon, 14 A Ausgangsstrom, 3,1 V Mindestversorgungsspannung – 1ED3124MC12HXUMA1

Dieser Gate-Treiber bietet eine Dual-Kanal-MOSFET-Antriebsfunktionalität für Schaltanwendungen, arbeitet von niedrigen bis mittleren Versorgungsschienen und eignet sich für oberflächenmontierte Schaltkreise. Er liefert zwei Ausgänge mit Rapid-Transition-Fähigkeit und ist für Anwendungen vorgesehen, bei denen in Standard-Elektronikbaugruppen ein kompakter Hochstromantrieb erforderlich ist.

Merkmale und Vorteile:

• Doppelte Ausgänge liefern zwei unabhängige MOSFET-Antriebskanäle für gepaarte Schaltvorgänge
• Der Spitzenausgangsstrom von 14 A ermöglicht die effektive Ansteuerung von Hochstrom-Gates
• Schnelle Anstiegszeit von 30 ns unterstützt schnelle Einschaltübergänge für Schaltgeschwindigkeit
• Schnelle Abfallzeit von 30 ns sorgt für schnelle Abschaltung und reduzierte Schaltverluste
• Breiter Versorgungsbereich von 3,1 V bis 17 V ermöglicht eine flexible Auswahl der Gate-Antriebsspannung
• Der Betriebsbereich von -40 bis 125 °C unterstützt anspruchsvolle thermische Umgebungen

Anwendungsbereich

• Geeignet für die Ansteuerung komplementärer MOSFET-Stufen in Leistungswandlern
• Ideal für die Gate-Steuerung in Motor-Wechselrichtermodulen
• Wird mit Hochstromschaltstufen in industriellen Stromversorgungen verwendet
• Kann für den Zweikanalantrieb in DC/DC-Wandlungssystemen verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Baugruppen von Leistungselektronik

Welches Gehäuse wird für die Leiterplattenmontage verwendet?

Er wird in einem 8-poligen DSO-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für die automatisierte Platzierung geeignet ist.

Wie viele Treiber und Ausgänge bietet er?

Das Gerät enthält zwei Treiber und bietet zwei Ausgänge für unabhängige Schaltkanäle.

Welche thermischen Grenzwerte definieren die Betriebsumgebung?

Die Komponente ist für den Betrieb von -40 °C bis maximal 125 °C unter bestimmten Bedingungen ausgelegt.

Wie sind die physischen Abmessungen des Gehäuses?

Das Gehäuse misst 6,4 mm in der Breite, 7,5 mm in der Länge und 2,65 mm in der Höhe.