Infineon MOSFET MOSFET 8 A 3.5V 4.5 ns
- RS Best.-Nr.:
- 258-0618
- Herst. Teile-Nr.:
- 2EDF7275KXUMA2
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF 2.252 | CHF 4.51 |
| 20 - 48 | CHF 1.959 | CHF 3.93 |
| 50 - 98 | CHF 1.848 | CHF 3.70 |
| 100 - 198 | CHF 1.717 | CHF 3.43 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-0618
- Herst. Teile-Nr.:
- 2EDF7275KXUMA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 8A | |
| Abfallzeit | 4.5ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 8A | ||
Abfallzeit 4.5ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon EiceDRIVER ist ein funktionaler isolierter Gate-Treiber für Hochleistungs-DC/DC-Mittelspannungs-, Halb- und Vollbrückentopologien. Die Quell-/Sinkströme von 4 A/8 A in Kombination mit einer kurzen Ausbreitungsverzögerung von 37 ns und der äußerst genauen Zeitsteuerung über Temperatur und Produktion sind die perfekte Passform für die Hochfrequenz-PWM-Steuerung mit möglichst engen Totzeitfenstern und bieten höchste Umwandlungseffizienz. Die sehr niedrige Impedanz der Gate-Treiber-Ausgangsstufen hält das Treibergehäuse und die Leiterplatte kühler, was ein wichtiger Vorteil bei Hochdichte-Power-Brick-Wandlern ist.
Schnelles Schalten der Stromversorgung mit genauem Timing
Optimiert für Flächen- und kostengünstige System-BOM
Robuste Bauweise gegen Schaltgeräusche
Wirkungsgradssteigerung und geringere Verluste
Besseres thermisches Verhalten bei geringerem Formfaktor
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