Renesas Electronics HIP2101EIBZ Gate-Treiber-Modul MOSFET 3 A 8-Pin SOIC 100 V 10 ns

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264-0589
Herst. Teile-Nr.:
HIP2101EIBZ
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Produkt Typ

Gate-Treiber-Modul

Ausgangsstrom

3A

Pinanzahl

8

Abfallzeit

10ns

Gehäusegröße

SOIC

Treiber-Typ

MOSFET

Anstiegszeit

10ns

Minimale Versorgungsspannung

100V

Maximale Versorgungsspannung

100V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Höhe

1.7mm

Serie

HIP2101

Breite

3.98 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der Gate-Treiber von Renesas Electronics ist ein Hochfrequenz-Halbbrücken-NMOS-FET-Treiber mit einem dreistufigen PWM-Eingang mit einer Betriebsversorgung und integrierter High-Side-Bootstrap-Vorspannung. Er unterstützt den Antrieb von High-Side- und Low-Side-NMOS in Halbbrückenanwendungen.

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