IXYS IGBT-Modul / 320 A, 600 V 735 W, 4-Pin SOT-227 N-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 125-8046
- Distrelec-Artikelnummer:
- 302-53-418
- Herst. Teile-Nr.:
- IXGN320N60A3
- Marke:
- IXYS
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- 125-8046
- Distrelec-Artikelnummer:
- 302-53-418
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- IXGN320N60A3
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 320A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 735W | |
| Gehäusegröße | SOT-227 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 5kHz | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 38.23mm | |
| Höhe | 9.6mm | |
| Serie | Low-Frequency | |
| Breite | 25.07mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 320A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 735W | ||
Gehäusegröße SOT-227 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 4 | ||
Schaltgeschwindigkeit 5kHz | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 38.23mm | ||
Höhe 9.6mm | ||
Serie Low-Frequency | ||
Breite 25.07mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
IGBTs, diskret, IXYS
IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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