IXYS IGBT-Modul / 80 A ±20V max. , 1700 V 680 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
146-4402
Herst. Teile-Nr.:
IXYN30N170CV1
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Dauer-Kollektorstrom max.

80 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1700 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

680 W

Konfiguration

Dual Emitter

Gehäusegröße

SOT-227B

Montage-Typ

SMD

Channel-Typ

N

Pinanzahl

4

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

38.23 x 25.42 x 9.6mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Thin wafer XPT™-Technologie
Niedrige Betriebsspannungen VCE(sat)
Co-Pack-Dioden mit kurzer Erholzeit
Positiver Temperaturkoeffizient von VCE(sat)
Hochspannungsgehäuse in internationaler Standardgröße
Höhere Effizienz
Beseitigung von mehreren verbundenen Geräten
Erhöhte Zuverlässigkeit für elektrische Anlagen
Impulsgeber-Stromkreise
Laser- und Röntgengeneratoren
Hochspannungsnetzteile
Hochspannungs-Messeinrichtungen
Kondensatorentladungs-Stromkreise
AC-Schalter

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