IXYS IGBT-Modul / 320 A ±20V max., 600 V 735 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 168-4582
- Herst. Teile-Nr.:
- IXGN320N60A3
- Marke:
- IXYS
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stange mit 10 Stück)*
CHF.381.68
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 10 + | CHF.38.168 | CHF.381.69 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 168-4582
- Herst. Teile-Nr.:
- IXGN320N60A3
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 320 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 735 W | |
| Konfiguration | Single | |
| Gehäusegröße | SOT-227B | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 5kHz | |
| Transistor-Konfiguration | Single & Common Emitter | |
| Abmessungen | 38.23 x 25.07 x 9.6mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 320 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 735 W | ||
Konfiguration Single | ||
Gehäusegröße SOT-227B | ||
Montage-Typ SMD | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 4 | ||
Schaltgeschwindigkeit 5kHz | ||
Transistor-Konfiguration Single & Common Emitter | ||
Abmessungen 38.23 x 25.07 x 9.6mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
IGBTs, diskret, IXYS
IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- IXYS IGBT-Modul / 320 A ±20V max., 600 V 735 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal
- IXYS IGBT-Modul / 270 A ±20V max. , 1700 V 680 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal
- IXYS IGBT-Modul / 80 A ±20V max. , 1700 V 680 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal
- IXYS IGBT / 88 A ±20V max., 1200 V 290 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal
- IXYS IGBT / 134 A ±20V max., 1200 V 690 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal
- IXYS IGBT / 152 A ±20V max., 1200 V 830 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal
- IXYS IGBT / 105 A ±20V max., 1200 V 500 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal
- IXYS IGBT / 100 A ±20V max., 1200 V 350 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal