Infineon IGBT / 30 A, 650 V 105 W, 3-Pin TO-220 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 145-9180
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP15N65F5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.59.35
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 22. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.187 | CHF.59.48 |
| 100 - 200 | CHF.1.134 | CHF.56.49 |
| 250 + | CHF.1.061 | CHF.52.92 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 145-9180
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP15N65F5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 30A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 105W | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.1V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | TrenchStop | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 15.95 mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Energie | 0.17mJ | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 30A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 105W | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.1V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie TrenchStop | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 15.95 mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Energie 0.17mJ | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V
Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode.
• Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V
• Sehr geringer VCEsat
• Niedrige Abschaltverluste
• Kurzer Deaktivierungsstrom
• Geringe elektromagnetische Störungen
• Maximale Verbindungstemperatur 175°C
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 30 A ±20V max., 650 V 105 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal
- Infineon IGBT / 15 A ±20V max. , 650 V 33.3 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal
- Infineon IGBT / 38 A 20V max. , 650 V 130 W TO-220-3
- Infineon IGBT / 42 A 20V max. , 650 V 125 W TO-220-3
- Infineon IGBT / 40 A ±20V max., 650 V 230 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 62 A ±20V max. , 650 V 188 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 80 A ±20V max. , 650 V 395 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 80 A ±20V max. , 650 V 274 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal