Vishay IGBT 379 W, 3-Pin TO-247AC N-Kanal

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 25 Stück)*

CHF.166.65

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Wird eingestellt
  • Letzte 25 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Stück
Pro Stück
Pro Stange*
25 - 25CHF 6.666CHF 166.65
50 - 100CHF 5.999CHF 149.99
125 +CHF 5.333CHF 133.32

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
180-7344
Herst. Teile-Nr.:
SIHG47N60EF-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

IGBT

Maximale Verlustleistung Pd

379W

Gehäusegröße

TO-247AC

Kabelkanaltyp

N

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Serie

EF

Breite

15.87mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

16.25mm

Energie

1500mJ

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
The Vishay SIHG47N60EF is a N-channel EF series power MOSFET with fast body diode having drain to source voltage(Vds) of 600V and gate to source voltage (VGS) 30V. It is having TO-247AC package. It is offers drain to source resistance (RDS.) of 0.065ohms at 10VGS. Maximum drain current 47A.

Fast body diode MOSFET using E series technology

Reduced trr, Qrr, and IRRM

Low figure of merit (FOM) Ron x Qg

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.